Tranzistorul

Extras din referat Cum descarc?

Istoric
Tranzistorul a fost inventat in laboratoarele Bell Telephone din New Jersey la data de 16 decembrie 1947 de catre John Bardeen, Walter Houser Brattain, si William Bradford Shockley de la Bell telephone Laboratories care au incercat sa creeze un dizpozitiv electronic capabil sa inlocuiasca tuburile electronice cu catod incalzit. 
Acesta urma sa fie utilizat in amplificatoarele folosite in telefonia la mare distanta , incercarile au durat aproape 8 ani, iar noul dispozitiv era format dintr-o placuta de germaniu de tip n si doua firisoare metalice care faceau cate un contact punctiform cu placuta. Acest dispozitiv a capatat numele de trazistor prin unirea a doua cuvinte transfer si resistor . Primul tranzistor avea o amplificare egala cu 40 la o frecventa de 1000 hz. Astfel de tranzistoare nu se mai fabrica astazi , in timpul care s-a scurs de la inventarea tranzistorului au fost elaborate o serie de tehnologii de fabricatie si deci si de tipuri de tranzistoare . metodele cunoscute sunt :tehnica alierii , tehnica difuziei , metoda planara , epitaxial-planara si mesa-planara
Metode de obtinere
In tehnologia de aliere , punctul de plecare il constituie o placuta dintr-un monocristal de germaniu dotat cu impuritati de tip n. De o parte si de alta a placutei se fixeaza cate o bila de indiu , care pentru germaniu este o impuritate de tip p . Ansamblu se incalzeste la temperatura de topire a indiului . Indiul patrunde in reteaua cristalina a semiconductorului astfel incat dupa racire sub bilele de indiu apar zone de tip p.Perla care formeaza colectorul este mai mare decat cea a emitorului si mai slab dotata .
Grosimea bazei depinde si de durata procesului de aliere . Pe cele trei regiuni ale tranzistorului se sudeaza firele de conexiuni sistemul este fixat pe o placuta suport si apoi incapsulat . Tot astfel se pot fabrica tranzistoare de tip npn prin alierea a doua perle de antimoniu pe o placuta de germaniu de tip p . Principalul dezavantaj al trazistoarelor aliate este frecventa si temperatura de lucru relativ mica 
Spre deosebire de procedeul de aliere care implica o stare lichida , procedeul de difuzie , presupune o faza gazoasa . Cristalul semiconductor este incalzit la o temperatura apropiata de cea de topire intr-o atmosfera gazoasa ce contine vapori de impuritati care patrund , in cristal . Pentru fabricarea unei jonctiuni pn , se incalzeste o placuta semiconductoare de tp nintr-o atmosfera de atomi de tip p. Acestia patrund in interiorul placutei formand o regiune de tip p . Cel mai important tip de trazistor care se fabrica prin tehnica difuziei este tranzistorul planar. - Principala calitate a acestor tanzistoare este frecventa de lucru ridicata care ajunge si la cateva mii de Mhz. asta pentru ca prin difuzie stratul bazei poate fii facut extreme de subtire , mai sunt si alte metode ca : metoda planara , epitaxial-planara si mesa-planara
Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductoare care indeplinesc conditiile necesare amplificarii unor semnale .
Dupa tipul de purtatori ce contribuie la functionarea lor ele sunt:
Bipolare - purtatori de ambele polaritati - majoritari (electroni)
- minoritari (goluri)
Unipolare - Purtatori de o singura polaritate - electroni sau goluri.
Tranzistorul bipolar 
Simbolul tranzistorului bipolar isi are originea in forma constructiva a primului tranzistor cu contacte punctiforme. Emitorul este reprezentat printr-o sageata. La un tranzistor pnp , sageata este indreptata spre baza si la npn dinspre baza ,de fapt sageata indica sensul curentului prin tranzistor 
Structura si caracteristicile tranzistorului
Tranzistorul bipolar este o structura de trei zone semiconductoare extrinseci (pnp sau npn) realizata intr-un cristal semiconductor. Ea este prezentata schematic in figura de mai jos .Fiecare zona are un contact ohmic cu cate un terminal exterior. Cele trei terminale se numesc emitor- E, baza - B si colector - C. Denumirile sugereaza functia pe care o indeplineste fiecare dintre cele trei zone: emitorul este furnizorul principal de sarcini electrice, colectorul colecteaza sarcinile electrice iar baza poate controla cantitatea de sarcina care ajunge la colector. Dupa acelasi criteriu, cele doua jonctiuni se numesc emitoare, respectiv colectoare.
O astfel de structura se numeste bipolara deoarece la conductia electrica participa sarcini electrice de ambele polaritati, goluri si electroni, cu contributii diferite la curent in functie de tipul de tranzistor. In functie de ordinea zonelor, tranzistorii bipolari pot fi de tip pnp sau npn. Simbolurile lor sunt prezentate mai jos
Din punct de vedere tehnologic structura de tranzistor are doua particularitati:
emitorul este mult mai puternic dopat decat baza
largimea fizica a bazei este mult mai mica decat lungimea de difuzie a purtatorilor majoritari din emitor (aprox. 10?m)
Pentru a exista conductie electrica intre emitor si colector, jonctiunea
emitoare trebuie polarizata in sens direct iar jonctiunea colectoare in sens invers. Un circuit de polarizare a jonctiunilor unui tranzistor de tip pnp este prezentat in figura de mai jos. In practica polarizarea jonctiunilor se face cu o singura sursa de alimentare.
Se poate observa modul in care purtatorii de sarcina din semiconductor contribuie la formarea curentilor exteriori masurabili: curentul de emitor - IE, curentul de colector - IC si curentul de baza - IB. Trebuie sa subliniem inca odata faptul ca la curentul prin tranzistor participa purtatori de ambele polaritati, in timp ce la curentii exteriori participa exclusiv electronii de conductie din metal.
Golurile, care sunt purtatorii majoritari in emitor, sunt accelerati in campul de polarizare directa a jonctiunii emitoare si, in marea lor majoritate, vor traversa baza si vor fi preluate de campul electric de polarizare inversa a jonctiunii colectoare. Fractiunea din curentul de emitor care contribuie la
formarea curentului de colector este notata cu ?. si se numeste factor de curent
si valorile lui sunt foarte apropiate de 1: ? ? 0,97 ? 0,99. Datorita slabei dopari a
bazei si a largimii ei foarte mici, doar o mica parte din golurile care pleaca din emitor se vor recombina cu electronii din baza. Curentul ?IE impreuna cu
curentul de purtatori minoritari, ICBo, care traverseaza jonctiunea colectoare
polarizata invers, vor forma curentul de colector, IC. Astfel, pot fi scrise
urmatoarele relatii intre curentii masurabili:


Fisiere in arhiva (1):

  • Tranzistorul.doc

Imagini din acest proiect Cum descarc?

Promoție: 1+1 gratis

După plată vei primi prin email un cod de download pentru a descărca gratis oricare alt referat de pe site.Vezi detalii.


Descarcă aceast referat cu doar 4 € (1+1 gratis)

Simplu și rapid în doar 2 pași: completezi adresa de email și plătești. După descărcarea primului referat vei primi prin email un alt cod pentru a descărca orice alt referat.

1. Numele, Prenumele si adresa de email:

Pe adresa de email specificata vei primi link-ul de descarcare, nr. comenzii si factura (la plata cu cardul). Daca nu gasesti email-ul, verifica si directoarele spam, junk sau toate mesajele.

2. Alege modalitatea de plata preferata:


* La pretul afisat se adauga 19% TVA, platibil in momentul achitarii abonamentului / incarcarii cartelei.

Hopa sus!