1. Scopul lucrarii - Ridicarea caracteristicilor si determinarea principalilor parametrii ai diodelor semiconductoare; studiul comportarii diodei semiconductoare in circuite elementare.
La curenti directi de ordinul 1 (10 mA (valori des intalnite in practica) tensiunea directa pe dioda este de 0. 2 0. 3 V pentru diodele din Ge respectiv 0. 6-0. 8 V pentru diodele din Si.
4. Dependenta de temperatura a caracteristicii statice a unei diode semiconductioare este foarte puternica, inregistrandu-se a dublare a curentului de saturatie la fiecare 10 0C pentru diode din Ge respectiv la fiecare 6 0C pentru diodele din Si.
Aceasta depedenta poate fi pusa in evidenta si prin coeficientul de variatie a tensiunii directe de pe dioda cu temperatura, la curent constant. Teoretic acest curent este de circa 2 mV / 0C, pentru ambele tipuri de material utilizate curent pentru realizarea diodelor semiconductoare.
6. La tensiuni directe mari caracteristica statica tinde sa se liniarizeze, datorita caderilor de tensiune pe zonele neutre ale jonctiunii PN, care nu mai pot fi neglijabile.
7. In circuitele electronice, diodele semiconductoare pot indeplini mai multe functiuni (redresare, detectie, limitare, etc.) in multe situatii fiind necesara stabilirea unui regim static de functionare. Ridicarea caracteristicilor directe se face cu montajul din fig. 1. 7; curentul prin dioda se masoara cu un miliampermetru, pe o scara corespunzatoare de curenti, iar tensiunea la bornele diodei cu un volmetru electronic (de preferinta voltmetru numeric). Curentul se va regla la valori pentru care se poate face o reprezentare comoda la scara logaritmica adica multiplii si submultiplii zecimali ai numerelor 1, 2 si r (ai caror logaritmi zecimali sunt, aproximativ, 0, 0. 3 respectiv 0. 7). Pentru dioda EFR 136 se va folosi borna 8 a generatorului pentru curenti mai mari de 50 mA iar pentru celelalte cazuri se va folosi numai borna 7 a generatorului de curent.
Rezultatele masuratorilor se vor trece intr-un tabel.
7. Se masoara caracteristica inversa a diodei stabilizatoare de tensiune BZX 85 C7V5 cu montajul din fig. 1. 9, pentru curenti intre 0. 1 mA si 20 mA.
Pentru aceasta, generatorul de curent se alimenteaza cu +15 V (la borna 3), bornele 7 si 1 se conecteaza impreuna printr-un miliampermetru iar tensiunea se masoara cu un voltmetru electronic (numeric) (bornele 2 si 6 sunt si ele cuplate). 8. Se vizualizeaza, pe caracterograf, caracteristicile directe ale diodelor semiconductoare si caracteristica inversa a diodei stabilizatoare de tensiune.
9. Referatul va contine: schemele de principiu pentru ridicarea carcateristicilor directe si inverse ale diodelor, tabelele cu rezultatele masuratorilor, graficele si determinarile facute pe baza acestora, precum si compararrea lor cu rezulatatele teoretice.
...
Pentru a descărca acest document,
trebuie să te autentifici in contul tău.
