<?xml version="1.0" encoding="ISO-8859-1"?>
<!-- generator="FeedCreator 1.7.2" -->
<?xml-stylesheet href="" type="text/xsl"?>
<rss version="2.0">
    <channel>
        <title>RSS Arhiva Referate Scolare, Referate Online</title>
        <description><![CDATA[Cea mai mare arhiva online cu referate scolare / referate online. Materialele sunt postate de utilizatori si pot fi consultate GRATUIT.]]></description>
        <link>http://www.tocilar.ro/flux_rss.html</link>
        <lastBuildDate>Wed, 23 May 2012 22:04:43 +0100</lastBuildDate>
        <generator>FeedCreator 1.7.2</generator>
        <image>
            <url>http://www.tocilar.ro/img/ico_logo.gif</url>
            <title>Tocilar.ro Logo</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/</link>
            <description><![CDATA[RSS sustinut de Tocilar.ro. Click pentru a ne vizita.]]></description>
        </image>
        <item>
            <title>Asdn</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-asdn.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Se iau in considerare operatiile: introducere monede, eliberare rest, coborare pahar si umplere pahar. Arhitectura automatului: O posibila arhitectura a automatului e urmatoarea in care s-au specificat anumite caracteristici ale acestuia: X reprezinta un senzor intern care determina natura monedei introduse considerata 0 daca e de 1000 respectiv 1 daca e de 500 (unitati monetare); M reprezinta un senzor intern care notifica asupra existentei unei monede introduse; Y reprezinta un senzor intern care notifica asupra existentei sucului in aparat; Z reprezinta un senzor intern care notifica asupra existentei monedei de 500 necesare in cazul in care automatul este nevoit sa dea rest. Un senzor intern care verifica existenta paharelor in automat Algoritmul de succesiune a starilor automatului se poate exprima folosind o organigrama. O posibila astfel de masina algoritmica de stare poate arata in acest mod: unde cu cercuri au fost reprezentate starile, cu dreptunghiuri comenzile care se dau, iar cu romburi blocurile conditionale. Aceasta organigrama corespunde urmatoarei functionari a automatului: In starea initiala S1 se verifica existenta sucului in automat. Daca acesta nu exista se verifica prezenta monedei introduse. Automatul va in stare nefunctionabila indiferent de prezenta monedei in el, iar in cazul in care aceasta exista se va returna, automatul intorcandu-se in starea initiala S1. In starea S2 automatul are suc si ramane in aceasta stare atata timp cat nu este introdusa moneda. In starea S3 automatul are o moneda introdusa. In cazul in care utilizatorul apasa butonul restituire moneda aceasta i se va inapoia. In caz contrar se presupune ca utilizatorul apasa butonul eliberare pahar si automatul verifica daca mai are pahare. Daca acesta conditie e indeplinita el va trece in starea S4 de unde va verifica natura monedei. Daca aceasta e de 500, va elibera paharul cu suc si va reveni in starea initiala S1. In cazul in care moneda introdusa e de 1000, verifica prezenta unei monede de 500 necesare pentru a da restul. Daca aceasta exista, automatul o va elibera impreuna cu paharul cu suc si va reveni in S1. Daca nu are cum sa dea restul, automatul este nevoit sa returneze moneda de 1000 si sa se intoarca in stare S2 pentru o posibila introducere a unei monede de 500. Evident, in cazul in care automatul nu are pahare, fiind nefunctionabil, returneaza moneda introdusa si revine in starea S2. Codificare celor patru stari se poate face pe doi biti, combinatiile fiind evidentiate in urmatorul tabel: care se reprezinta astfel: Dintre variantele posibile pentru implementare am ales-o pe cea cu multiplexoare de tipul MUX 4: 1si porti logice NOT, AND, OR si NOR:]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Dce Lucrarea Nr 1</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-dce_lucrarea_nr_1.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: 1. Scopul lucrarii - Ridicarea caracteristicilor si determinarea principalilor parametrii ai diodelor semiconductoare; studiul comportarii diodei semiconductoare in circuite elementare. La curenti directi de ordinul 1 (10 mA (valori des intalnite in practica) tensiunea directa pe dioda este de 0. 2 0. 3 V pentru diodele din Ge respectiv 0. 6-0. 8 V pentru diodele din Si. 4. Dependenta de temperatura a caracteristicii statice a unei diode semiconductioare este foarte puternica, inregistrandu-se a dublare a curentului de saturatie la fiecare 10 0C pentru diode din Ge respectiv la fiecare 6 0C pentru diodele din Si. Aceasta depedenta poate fi pusa in evidenta si prin coeficientul de variatie a tensiunii directe de pe dioda cu temperatura, la curent constant. Teoretic acest curent este de circa 2 mV / 0C, pentru ambele tipuri de material utilizate curent pentru realizarea diodelor semiconductoare. 6. La tensiuni directe mari caracteristica statica tinde sa se liniarizeze, datorita caderilor de tensiune pe zonele neutre ale jonctiunii PN, care nu mai pot fi neglijabile. 7. In circuitele electronice, diodele semiconductoare pot indeplini mai multe functiuni (redresare, detectie, limitare, etc.) in multe situatii fiind necesara stabilirea unui regim static de functionare. Ridicarea caracteristicilor directe se face cu montajul din fig. 1. 7; curentul prin dioda se masoara cu un miliampermetru, pe o scara corespunzatoare de curenti, iar tensiunea la bornele diodei cu un volmetru electronic (de preferinta voltmetru numeric). Curentul se va regla la valori pentru care se poate face o reprezentare comoda la scara logaritmica adica multiplii si submultiplii zecimali ai numerelor 1, 2 si r (ai caror logaritmi zecimali sunt, aproximativ, 0, 0. 3 respectiv 0. 7). Pentru dioda EFR 136 se va folosi borna 8 a generatorului pentru curenti mai mari de 50 mA iar pentru celelalte cazuri se va folosi numai borna 7 a generatorului de curent. Rezultatele masuratorilor se vor trece intr-un tabel. 7. Se masoara caracteristica inversa a diodei stabilizatoare de tensiune BZX 85 C7V5 cu montajul din fig. 1. 9, pentru curenti intre 0. 1 mA si 20 mA. Pentru aceasta, generatorul de curent se alimenteaza cu +15 V (la borna 3), bornele 7 si 1 se conecteaza impreuna printr-un miliampermetru iar tensiunea se masoara cu un voltmetru electronic (numeric) (bornele 2 si 6 sunt si ele cuplate). 8. Se vizualizeaza, pe caracterograf, caracteristicile directe ale diodelor semiconductoare si caracteristica inversa a diodei stabilizatoare de tensiune. 9. Referatul va contine: schemele de principiu pentru ridicarea carcateristicilor directe si inverse ale diodelor, tabelele cu rezultatele masuratorilor, graficele si determinarile facute pe baza acestora, precum si compararrea lor cu rezulatatele teoretice.]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Dce Lucrarea Nr 12</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-dce_lucrarea_nr_12.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: 1. Lucrarea are ca scop studiul experimental al unor aspecte ale functionarii unui amplificator de putere in contratimp de clasa B sau AB. 2. Etajele de putere pentru semnalele de frecventa audio se pot realiza cu tranzistoare functionand in clasa A (cand elementul activ ce debiteaza putere in sarcina este permanent in conductie) sau in clasa B, in contratimp (elementul activ ce debiteaza putere in sarcina este in conductie o semiperioada a semnalului). Amplificatorul de putere de clasa A asigura o reproducere fidela a semnalului in sarcina, dar cu un randament scazut, ceea ce determina o putere disipata de elementul de putere mare in comparatie cu puterea utila. Amplificatorul de putere in clasa B in contratimp este caracterizat printr-un randament ridicat, ceea ce inseamna o buna utilizare a tranzistoarelor de putere, dar semnalul in sarcina va fi distorsionat, in principal, datorita caracteristicii de transfer neliniare. 2. Se realizeaza conexiunea bootstrap (bornele 5 si 7 legate impreuna), se conecteaza miliampermetrul (intre bornele 9 si 6) si se alimenteaza montajul cu tensiune continua de 15 V intre borna 6 (+) si masa (-). 5. Se studiaza efectul plasarii incorecte a punctului static de functionare al etajului final. Tensiunea de alimentare este 15 V. 7. Se efectueaza masuratori privind amplificarile cu si fara reactie pentru diferite valori ale factorului de reactie, avand in vedere importanta deosebita a acestui factor pentru amplificator. In ambele cazuri, se determina valoarea maxima a coeficientului de utilizare a tensiunii de alimentare; se completeaza tabelul 3 si se interpreteaza rezultatele.]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Dce Lucrarea Nr 10</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-dce_lucrarea_nr_10.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: 1. Scopul lucrarii este studiul functionarii amplificatorului diferential cu tranzistoare bipolare, masurarea tensiunilor de iesire si a impedantelor de intrare pentru diferite moduri de excitatie precum si influenta coeficienttului de rejectie a modului comun asupra acestora. 3. Se aplica semnal sinusoidal la intrarea circuitului defazor (borna 3) cu frecventa de 1 kHz si cu valoarea eficace de 20 mV. Se masoara tensiunile la bornele de iesire (bornele 4 si 5) cu un milivoltmeru de curent alternativ, constatandu-se egaliatatea valorilor eficace si se verifica faptul ca cele doua tensiuni sunt in antifaza, cu un osciloscop cu doua canale sau cu un osciloscop cu un singur canal, sincronizat din exterior. Se confrunta valorile coeficientului de rejectie a modului comun determinate teoretic cu relatia (10. 12) cu valorile masurate deduse din relatia (10. 36). Se vor explica diferentele constatate.]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Dce Lucrarea Nr 11</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-dce_lucrarea_nr_11.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Se studiaza efectul reactiei negative asupra comportarii amplificatoarelor de semnal mic cu tranzistoare bipolare; se vor efectua masuratori asupra amplificarilor de tensiune, asupra impedantelor de intrare si de iesire si asupra benzii de trecere. Prin reactie negativa se imbunatateste stabilitatea amplificarii de tensiune la variatii ale amplificarii amplificatorului de baza, fara reactie, determinate de diferite cauze (inlocuirea componentelor defecte cu altele similare, dar nu identice, modificarea parametrilor componentelor electronice si electrice datorita variatiilor de temperatura sau ale tensiunii de alimentare, etc.). 1. Dubletul paralel este un amplificator cu reactie aralel de tensiune si are schema reprezentata in fig. 11. 4. Datorita reactiei negative paralel, impedanta de intrare in dubletul paralel este micsorata foarte mult. Masurarea impedantelor de intrare si de iesire se face conform schemelor de masura din fig. 11. 2 si respectiv, fig. 11. 3, folosindu-se aceleasi relatii pentru calcul. 4. In privinta comportarii in frecventa a dubletului paralel se pot face aceleasi observatii ca si in cazul dubletului serie. DESFASURAREA LUCRARII Tabelul 2 se va completa si cu valorile calculate pentru amplificarile de tensiune, cu relatiile (11. 1) si (11. 4) si pentru impedantele de intrare, cu relatiile (11. 7) si (11. 8). Se vor justifica diferentele intre valorile calculate si cele masurate. Se calculeaza desensibilitatea produsa de rectie, definita prin relatia (11. 6), verificandu-se si valoarea teoretica a acesteia. Tabelul 11. 4 se va completa si cu valorile calculate pentru cele 6 marimi cu relatiile (11. 15) si (11. 24). Se vor justifica diferentele intre valorile masurate si cele calculate. In acest tabel se vor trce si valorile calculate cu realtiie (11. 25) si (11. 28) care se vor compara cu cele masurate. 4. Referatul va contine: - pentru dubletul serie: - schema de principiu cu relatiile de calcul pentru amplificarea de tensiune si impedantele de intrare si de iesire; - schema electrica cu valorile tuturor elementelor - punctele statice de functionare ale tranzistoarelor si parametrii dinamici ai acestora; - tabelul 11. 1 cu rezultatele masuratorilor si tabelul 11. 2 completat cu determinarile rezultate din masuratori si cu valorile calculate pentru amplificari si impedante; rezultatele masuratorilor pentru impedanta de iesire; - rezultatele masuratorilor si ale determinarilor efectuate pentru amplificatorul cu amplificare redusa, inclusiv desensibilizarea produsa de reactie; - caracteristicile de frecventa realizate pe acelasi grafic cu determinarile frecventelor limita de sus; - pentru dubletul paralel: - schema de principiu cu relatiile de calcul pentru amplificari, impedante de intrare si impedante de iesire; - schema electricq utilizata, cu valorile tuturor elementelor; - tabelele 11. 3 si 11. 4 cu rezultatele masuratorilor si ale determinarilor efectuate privind]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Dce Lucrarea Nr 13</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-dce_lucrarea_nr_13.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Lucrarea are ca scop determinarea experimentala a principalelor performante ale stabilizatoarelor electronice de tensiune continua cu element de control serie si cu amplificator de eroare; se va studia influenta amplificarii amplificatorului de eroare asupra performantelor stabilizatorului. -coeficientul de atenuare a zgomotului de retea, definit ca raportul dintre tensiunea de zgomot la iesirea redresorului si tensiunea de zgomot la iesirea stabilizatorului; -coeficientul de variatie cu temperatura a tensiunii stabilizate definit ca variatia tensiunii stabilizate cand temperatura creste cu 1 grad. 3) In realizarea practica a experimentului s-a folosit montajul de mai jos cu o rezistenta de sarcina variabila intre 0 si 100k iar potentiometrul R1 avea valori in gama 0 si 10k. Cu acest circuit se pot realiza trei montaje ce difera prin sarcina amplificatorului de eroare: M1- conectand bornele 6 si 4 impreuna, cu alimentare simpla prin R 0 si R 0; M2- cu alimantare prin R 0 si filtrul R 0C0, conectand si pe 8 la masa M3-conectand bornele 4 si se obtine ca sarcina a amplificatorului de eroare un generator de curent. S-a realizat initial montajul M2 si cu sarcina decuplata s-a masurat tensiunea maxima si minima stabilizata ce s-a putut obtine: Usmin=5, 6V si Usmax=8, 6V. Teoretic, folosind o dioda Zener de 5, 1V si un tranzistor cu Ube=0, 6V s-ar fi obtinut Usmin=5, 7V si Usmax=8, 65V. In continuare potentiometrul R1 ramane pe pozitia in care se obtine tensiunea minima stabilizata. In montajul M2, cu curentul prin sarcina de 0, respectiv 56mA, s-au masurat urmatoarele intensitati de colector ale tranzistorului Ta: Ic=2, 02mA, respectiv 1, 37mA, ceea ce duce la o panta de S=80 si deci h11=S/h21=2, 5k. Pentru a evalua rezistenta interna a redresorului s-a masurat tensiunea redresata Ur la borna 3 pentru doua valori ale intensitatii de sarcina, obtinandu-se Ur=9, 51V pentru Is=0mA si Ur=9, 02 pentru Is=18mA => Rint=27ohmi. Folosind aceste valori s-a putut determina rezistenta de iesire pentru cele 2 montaje: Ries (M2) =8, 65, iar Ries (M3) =9, 8.]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Dce Lucrarea Nr 14</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-dce_lucrarea_nr_14.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Lucrarea are ca scop cunoasterea principalilor parametrii ai amplificatoarelor operationale si insusirea metodelor de masurare a acestora. Aici se foloseste A. O. integrat ?A 741. Intrucat schema electronica a A. O. nu este simetrica, nu avem o caracteristica ce trece prin originea axelor, si de aceea se mai definesc si parametrii: tensiunea de decalaj raportata la intrare, Vd curentul de polarizare Ib curentul de decalaj Id derivele termice ale acestor trei marimi. Masurarea unora dintre parametrii A. O. se face cu o schema de compensare cu un A. O. auxiliar, ca mai jos: Tensiunea Vl la iesirea amplif. de masura poate ajuta, in diferite combinatii inchis/deschis ale comutatoarelor K1 si K2 la deteminarea unor parametrii ai A. O. de testat (presupun Rg>>r) : Vd=Vl1/m Id= (Vl2-Vl1) /m Ib= (Vl3-Vl4) /m Ao=2mU/ (Vl6-Vl5) CMR=2mU/ (Vl8-Vl7) In aceste relatii s-a notat cu m raportul (R+r) /r>>1. In cadrul lucrarii se foloseste urmatorul montaj: Initial circuitul se alimenteaza la +15V (borna 2) si la 15V (borna 3) fata de masa (borna 1). Realizand combinatii inchis/deschis cu comutatoarele K1 si K2 se masoara tensiunea Vl (b. 4) : Cu ajutorul acestor valori s-au putut calcula tensiunea de decalaj raportata la intrare: Vd=-1, 4mV, curentul de decalaj: Id=138, 7?A si curentul de polarizare: Ib=37?A. Pentru a masura factorul de rejectie a surselor de alimentare (SVR) se variaza simultan tensiunile de alimentare la 10V si se masoara din nou V l=-1, 65V => V d=-1, 6mV => SVR=25. 000. Cu K1 si K2 inchise si b. 6 la masa se stabileste Vr=U=10V folosind potentiometrul P2 si apoi se masoara Vl5=-1, 35V. Regland pe P2 astfel incat Vr=U=-10V masuram Vl6=-1, 38V ceea ce permite calcularea amplificarii de tensiune in bucla inchisa: A0=-667. 333. Pentru a studia efectul tensiunii de alimentare asupra amplificarii in tensiune se fac masuratori si la alte tensiuni de alimentare: Pentru masurarea impedantei de iesire a A. O. (R0) se mai masoara Vl5 si Vl6 si in sarcina pentru a determina amplificarea in sarcina (Rs=510) =>Aos=-1696, 6 => R0=200k. Pentru masurarea impedantei de intrare diferentiale (Ri), se aplica semnal sinusoidal de f. joasa frecventa si cu K1 si K2 deschise se masoara amplificarea A 0=1888, 6 => Ri=54k. Pentru determinarea factorului de rejectie pe modul comun (CMR) si studierea dependentei lui de tensiunea de mod comun se inchid K1 si K2, se pune 7 la masa iar cu P1 se variaza tensiunea de mod comun Umc in gama 0 10V, obtinand valorile din dreapta.]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Dce Lucrarea Nr 15</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-dce_lucrarea_nr_15.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: In cadrul acestei lucrari se studiaza functionarea catorva dintra circuitele elementare ce se pot realiza cu A. O. Repetorul de tensiune prezinta acceasi schema ca mai sus dar cu rezistenta R1 necuplata. In acest caz amplificarea de tensiune este unitara. Prezinta totodata impedanta de intrare foarte mare si impedanta de iesire foarte mica. Pentru ca un A. O. sa se comporte ca un amplificator diferential trebuie sa avem egalitatea R2/R1=R3/R4. Integratorul cu A. O. reprezentat mai sus (fig. 15. 4, 15. 5) primeste la intrare un semnal de amplitudine constanta si frecventa variabila si da la iesire o tensiune de aceeasi frecventa dar cu amplitudinea dependenta de frecventa si de elementele circuitului. In graficul alaturat este desenat raspunsul de la iesire cand se aplica la intrare impulsuri cu factorul de umplere 0, 5. Comparatorul cu histerezis foloseste A. O. cu o reactie pozitiva ca mai jos (fig 6, 7) : Cu ajutorul rezistentelor R5 si R6 se modifica largimea histerezisului, iar cu Er se modifica pozitia acestuia fata de origine, conform formulelor: Generatorul de impulsuri dreptunghiulare cu A. O. se poate realiza astfel: Perioadele impulsurilor sunt date de expresiile: Se observa ca daca Er=0 semnalele au factorul de umplere 0, 5. 3) Se realizeaza schema de amplificator inversor si aplicand un semnal sinusoidal de 200Hz se masoara o amplificare Au=23/2. 5=-9. 2. Se realizeaza apoi schema de amplificator neinversor, tot la 200Hz. El este de fapt aproape un repetor de tensiune, ceea ce se dovedeste si prin amplificarea masurata: Au=0. 02/0. 74=0. 83]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Dce Lucrarea Nr 16</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-dce_lucrarea_nr_16.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: 1. Scopul lucrarii este studiul unor filtre active realizate cu amplificatoare operationale prin ridicarea caracteristicilor lor de frecventa. 2. Filtrele active (cu tranzistoare bipolare, cu tranzistoare cu efect de camp sau cu amplificatoare operationale) realizeaza aceleasi functii ca si filtrele cu elemente pasive filtre trece jos, trece sus, trece banda, etc. dar sunt capabile sa asigure o amplificare de putere supraunitara si acopera un domeniu de frecvente mult mai larg, in special spre frecvente joase (fara a necesita bobine si condensatoare de dimensiuni foarte mari). Realizarea filtrelor active cu amplificatoare operationale prezinta si avantajul unei mai bune independente a caracteristicii de transfer si a parametrilor filtrelor de parametri elementelor active utilizate si, implicit, de variatia acestora la modificari ale mediului ambiant. 3. Sunt numeroase posibilitati de realizare a filtrelor active cu amplificatoare operationale caracterizate printr-o functie de transfer cu doi poli, dupa modul de utilizare a amplificatorului operational si de structura retelei pasive selective utilizate. In lucrare, amplificatorul operational este folosit ca o sursa de tensiune comandata in tensiune (deci ca un amplificator ideal de tensiune) conform schemei din fig. 1. a. In acest fel, impedanta de intrare si impedanta de iesire nu vor afecta circuitele de reactie selective conectate intre iesirea si intrarea amplificatorului. In continuare, pentru amplificatorul din fig. 1. a, realizat cu amplificator operational, va fi folosit simbolul din fig. 1. b. Pentru filtrul trece sus, la frecvente mari, incepe sa se produca scaderea amplificarii, determinata de banda de frecvente limitata a amplificatorului operational real utilizat; in fig. 5, aceasta scadere este reprezentata punctat. Desfasurarea lucrarii. Se alimenteaza circuitul cu tensiunile de alimentare + 12 V (la borna 2) si 12 V (la borna 3), borna comuna a celor doua surse de alimentare fiind masa (borna 1). 2. Se realizeaza filtrul trece jos din fig. 4, conectand 6 cu 11 si 5 cu 12. 3. Se realizeaza filtrul trece sus din fig. 6, conectand 6 cu 13 si 5 cu 14. 4. Se realizeaza filtrul trece banda (6 cu 15, 5 cu 16). Se masoara frecventa caracteristica (sau de acord). Se traseaza cele trei caracteristici de frecventa. La fiecare dintre ele, se vor determina si frecventele la care amplificarea de tensiune scade cu 3 dB fata de valoarea maxima, de la acord. 5. Referatul va contine: - schemele electrice ale celor trei filtre studiate; - caracteristicile de frecventa ale celor trei filtre;]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Dce Lucrarea Nr 17</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-dce_lucrarea_nr_17.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: 1. Scopul lucrarii consta in studierea functionarii a doua tipuri de oscilatoare RC; oscilator RC cu trei celule de defazaj cu amplificator cu tranzistoare si oscilator cu retea Wien, cu amplificator operational, la care se vor verifica conditiile de amorsare a oscilatiilor si se vor determina amplitudinea si frecventa oscilatiilor pentru diferite conditii de functionare. 3. Schema de principiu a unui oscilator cu retea de defazare este desenata in fig. 3, in care amplificatorul, de tip inversor, poate fi realizat cu tranzistoare. In cazul in care amplificatorul de tensiune are impedanta de intrare insuficient de mare si/sau impedanta de iesire insuficient de mica, in relatiile (4) si (5) se pot introduce termenii de corectie necesari. 5. Avand in vedere selectivitatea redusa a retelelor RC in comparatie cu cea a retelelor LC, forma de unda nu este sinusoidala decat la limita de amorsare a oscilatiilor; pe masura ce se intra in neliniaritatile amplificatorului, formele de unda sunt distorsionate iar frecventa de oscilatie scade sub frecventa de acord a retelei de reactie. Amplificatorul de baza este de tip neinversor, cu amplificare de tensiune redusa. Neidealitatile amplificatorului de baza pot fi luate in consideratie la deducerea relatiilor (6) si (7). Forma de unda a tensiune obtinute la iesirea oscilatorului de baza are un grad de distorsiuni cu atat mai mic cu cat amplificarea amplificatorului de baza este mai aproape (dar mai mare) de valoarea care satisface conditia (3), respectiv (7), in cazul oscilatorului cu retea Wien. 1. Se identifica circuitul din fig. 6, cu ajutorul caruia se poate realiza un oscilator cu retea de defazare trece sus. Amplificatorul de baza este realizat cu trei tranzistoare cuplate direct, cu reactii negative locale atat pe curent continuu cat si pe curent alternativ (pentru a realiza o independenta a amplificarii de tensiune de punctele statice de functionare); intrarea amplificatorului de baza este de impedanta marita, prin bootspraparea circuitului de polarizare. 3. Se considera la intrarea circuitului de defazare (borna 5) un generator de frecventa variabila si de valoare eficace 1V si se masoara caracteristica de transfer a retelei de defazare. Se determina frecventa la care reteaua de defazare asigura un defazaj de 1800 cu ajutorul figurilor Lissajous. Se traseaza grafic caracteristica de transfer si se determina factorul de calitate al circuitului, precum si atenuarea la frecventa de acord. Se vor verifica relatiile (4) si (5) pentru frecventa de oscilatie si pentru atenuarea la frecventa de acord. 9. Se aplica la borna 6 semnal sinusoidal de valoare eficace fixa (1V) si de frecventa variabila. Se traseaza caracteristica de frecventa a retelei de reactie Wien, masurand tensiunea de iesire a circuitului, la borna 4, pentru diferite frecvente. Se repeta masuratoarea pentru cazul in care bornele 5 si 7 sunt deconectate (in acest caz, limitarea amplificarii de tensiune se face prin]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Dce Lucrarea Nr 2</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-dce_lucrarea_nr_2.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: 1. Scopul lucrarii: Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar in conexiunile emitor-comun (EC) si baza-comuna (BC), determinarea unor parametrii de curent continuu si de regim dinamic al tranzistorului bipolar. 4. Din punct de vedere practic, pentru determinarea regimului de functionare in curent continuu, este necesara cunoasterea carcateristicilor statice de intrare, de transfer direct si de iesire (numai doua dintr ele sunt independente), cu particularitati specifice fiecarui mod de conexiune. In conexiunea baza comuna, electrodul de referinta este baza iar in conexiunea emitor comun electrodul de referinta va fi emitorul. Pe caracteristicile statice de iesire ale tranzistorului desenate la punctul precedent, se traseaza prin interpolare, cu aproximatie, caracteristica statica corespunzatoare curentului de baza masurat anterior si dreapta de sarcina descrisa de ecuatia (2. 18). La intersectia lor se obtine punctul static de functionare ale carui coordonate trebuie sa fie apropiate de cele masurate. 11. Se vor vizualiza, pe caracterograf, caracteristicile statice de intrare si de iesire pentru ambele conexiuni ale tranzistorului. Se vor vizualiza si deformarile caracteristicilor de iesire la tensiuni de colector apropizte de tensiunea de strapungere, pentru ambele conexiuni. 12. Referatul va contine: schemele de masura pentru parametrii si pentru caracteristicile statice ale tranzistorului in cele doua conexiuni, tabelele cu rezultatele masuratorilor, graficele corespunzatoare si determinarile facute pe baza acestora asa cum se indica la modul de lucru; schemele elementare cu tranzistoare pentru determinarea punctelor statcie de functionare respective. In cazul unor neconcordante intre rezultatele teoretice si cele experimentale se vor da scurte justificari.]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Dce Lucrarea Nr 6</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-dce_lucrarea_nr_6.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: 1. Scopul lucrarii: se studieaza functionarea tranzistorului bipolar intr-un circuit de amplificator elementar (montaj cu emitorul la masa) la semnale mici si se determina dependenta principalilor parametrii ai amplificatorului (amplificari de tensiune si de curent, impedante de intrare si de iesire) de impedanta de sarcina si de frecventa. - rezultatele masuratorilor privind cuplarea in cascada a celor doua amplificatoare precum si calculele teoretice corespunzatoare;]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Dce Lucrarea Nr 7</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-dce_lucrarea_nr_7.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: 1. Scopul lucrarii: masurarea performantelor amplificatoarelor elementare realizate cu tranzistoare bipolare in cele trei conexiuni fundamentale precum si ale amplificatorului cu sarcina distribuita. In ceea ce priveste comportarea la frecvente inalte, cele patru montaje sunt caracterizate prin frecvente limite de sus de valori diferite (frecventele la care modulul amplificarii de tensiune scade cu 3 dB fata de valoarea de la frecvente medii). - schemele de masurare si relatiile de calcul pentru amplificarile de tensiune si de curent si pentru impedantele de intrare si de iesire; - tabelul 7. 2 cu rezultatele masuratorilor; - comentarea eficientei formulelor aproximative pentru amplificarile de tensiune si de curent si pentru impedanta de intrare.]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Fizica Lab 120a</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-fizica_lab_120a.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Determinarea diferen]ei de potential ce apare la contactul dintre un metal si un semiconductor, diferen]a de potential cunoscuta sub numele de potential de contact sau potential de difuzie. Consideratii generale asupra fenomenului. Cand doua substan]e sunt puse n contact, ntre ele apare un schimb de purtatori de sarcina, ceea ce determina o modificare a proprietatilor atat la suprafata de contact cat si in profunzime. Utilizarea practica a semiconductorilor si studiul multor fenomene fizice din interiorul lor sunt raportate la legarea semiconductorului intr-un anumit circuit, format din diferite materiale. Pentru intelegerea fenomenelor determinate de existenta contactului, este necesar sa se studieze: - variatia proprietatilor semiconductorului la introducerea lui intr-un camp electric. - aparitia unei diferente de potential la contactul metal - metal. - aparitia unei diferente de potential la contactul metal - semiconductor. Rezultatele acestui mod de analiza pot fi sistematizate astfel: a) In cazul introducerii unui semiconductor intr-un camp electric exterior, omogen, ca rezultat al deplasarii purtatorilor de sarcina liberi, provocata de campul exterior, in volumul semiconductorului, la o distanta oarecare de suprafata campul electric se anuleaza. Campul exista numai intr-un strat superficial, in care exista si sarcina spatiala. Acesta ecraneaza c mpul exterior si in consecinta, campul nu va patrunde n volumul semiconductorului. b) In regiunea sarcinii spatiale, zonele de energie se curbeaza. Daca ele se curbeaza n sus, atunci stratul superficial se imbogateste cu goluri, in cazul unei curburi in jos, se produce imbogatirea cu electroni. Intr-un semiconductor intrinsec, conductia straturilor de la suprafata creste independent de sensul campului. Intr-un semiconductor cu impuritati, conductia stratului superficial se mareste daca campul exterior extrage din volum purtatorii de sarcina majoritari, si se micsoreaza daca stratul superficial se imbogateste cu purtatori de sarcina minoritari. Variatia conductiei stratului superficial se numeste efect de camp. c) Grosimea stratului in care exista sarcina de volum si camp electric si in care se curbeaza considerabil zonele de energie se caracterizeaza printr-o marime LD d) Pentru o intensitate a c mpului suficient de mare, n stratul superficial se poate modifica tipul conduc]iei. Domeniul n care se produce modificarea tipului de conductie se numeste jonctiune fizica p -n. e) Intr-un metal, concentratia electronilor liberi este mare, de aceea lungimea de ecranare Debye este considerabila mai mica decat distanta dintre atomi. f) In cazul contactului dintre metale intre doua puncte oarecare externe ale unor metale diferite exista o diferenta de potential, numita diferenta de potential de contact externa. Existenta saltului energiei potentiale asigura egalitatea fluxurilor electronilor dintr-un metal n altul. Din egalitatea fluxurilor electronilor ce trec prin]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Fizica Lab Bn121</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-fizica_lab_bn121.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: 2. Teoria lucrarii 2. 1. Interferenta Fenomenul de interferenta consta in suprapunerea a doua sau mai multe unde coerente. In optica fenomenul este materializat prin aparitia de franje luminoase ce alterneaza cu franje intunecoase. Doua unde monocromatice plane cu frecventa unghiulara, cu vectorul de unda k, cu amplitudinile a1 i a2 i cu fazele initiale 1 si 2 sunt coerente daca diferenta de faza se mentine constanta in timp. Intr-un punct P functia de unda rezultanta prin suprapunerea undelor descrise de (1) este Intensitatea undei rezultante are forma Termenul 2a1a2cos, se numeste termen de interferenta. Trasand graficul I = f (??) se contata ca intensitatea variaza intre valoarea maxima Imax = (a1 + a2) 2 si valoarea minima Imin = (a1 - a2) 2 corespunzatoare franjelor de maxim, respectiv de minim. Ca masura a contrastului franjelor se introduce o marime numita vizibilitate 2. 2. Coeren a temporala Conceptul de coerenta este legat de posibilitatea de a obtine efecte de interferenta. Daca radiatia emisa la un moment dat de o sursa de lumina poate interfera cu radiatia emisa la un moment ulterior, atunci cele doua radiatii sunt coerente in timp. Intervalul maxim de timp pentru care mai are loc interferenta se numeste timp de coerenta. Interferenta ca rezultat al timpului de coerenta se poate ilustra cu ajutorul interferometrului Michelson (Fig. 1). Acesta, prin intermediul unei oglinzi semitransparente, separa o raza de lumina in doua. Dupa ce strabat drumuri individuale de lungimi diferite, cele doua unde interfera. Fig. 1 Vizibilitatea franjelor de interferenta scade cu cres terea diferentei de drum. Diferenta maxima de drum pentru care franjele mai sunt inca vizibile se numeste lungime de coerenta l la care corespunde timpul de coerenta -t conform cu relatia Pentru o radiatie cu largimea de banda xx? relatia de incertitudine dintre timp si frecventa conduce la care arata ca monocromaticitate mare (xx mic) inseamna timp de coerenta mare. Sursele de lumina obtinuite au coerenta temporala mica, adica timp si lungime de coerenta mici. 2. 3. Coerenta spatiala Daca doua raze care provin din puncte diferite ale unei surse interfera, atunci sursa are coerenta spatiala. Intinderea spatiala a coerentei corespunde la distanta maxima intre doua puncte ale sursei pentru care se mai obt ine interferenta. Pentru a masura coerenta spatiala se foloseste un dispozitiv Young ce consta dintr-un paravan cu doua fante, care se pune in dreptul sursei, si un ecran pe care se proiecteaza franjele de interferenta. Marind distanta dintre fante pana la o valoare maxima pentru care mai sunt vizibile franjele de interferenta, se determina intinderea de coerenta spatiala (suprafata pe care faza undei nu se modifica). Sursele de lumina obtinuite au coerenta spatiala slaba, lucru dovedit de faptul ca la o experienta de tip Young distanta dintre fante este limitata la o valoare mica. 2. 4. Dispozitivul]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Meiv Osciloscoape Catodice</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-meiv_osciloscoape_catodice.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Utilizarile osciloscoapelor catodice pentru vizualizarea, inregistrarea formei de variatie in timp a tensiunilor electrice si masurarea in amplitudine - timp a acestora -se vor masura parametrii caracteristici ai unor tensiuni sinusoidale, dreptunghiulare si triunghiulare cu osciloscopul fara memorie si cu memorie digitala, utilizandul ca pe un osciloscop clasic, cu cursoarele si microprocesorul intern, calculand erorile de masurare Vom masura semnalele furnizate de un generator de semnale (sinusoidale, dreptunghiulare si triunghiulare) de frecventa variabila, folosind un osciloscop catodic fara memorie, tip Philips PN 3050 si un osciloscop catodic cu memorie HP 54600A. Semnalele sinusoidale arata astfel: Rezultatele ob]inute pentru masurarea marimilor caracteristice ale unor tensiuni sinusoidale: n care s-au facut notatiile: fx - frecventa selectata de la generatorul de semnal XT, Y valori citite pe ecranul osciloscopului CX factorul de deflexie pe orizontala CY factorul de deflexie pe verticala T perioada semnalului U valoarea efectiva a tensiunii masurate eU, eT erorile de masurare a tensiunii si a perioadei semnalului Semnalul triunghiular arata astfel: Rezultatele experimentale obtinute la masurarea unor semnale triunghiulare: in care s-au facut notatiile: fx frecventa selectata de la generatorul de semnal XD, Xta, Xtp, XP, XT, Y valori citite pe ecranul osciloscopului tca, tcp timpii de crestere si de cadere a fronturilor semnalului D durata semnalului P pauza semnalului Rezultatele experimentale ob]inute la masurarea unor semnale dreptunghiulare sunt trecute in tabelul de pe pagina urmatoare. S-au folosit nota]iile: U=CYY amplitudinea semnalului; Ta=CxtaXta frontul crescator; Tp=CxtpXtp frontul de pauza; Da=XDCxD durata semnalului; Dp=XpCxp durata pauzei; T=XTCxT perioada;]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Scd Lucrarea Nr 18</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-scd_lucrarea_nr_18.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: 1. Scopul lucrarii consta in studierea comportarii unor circuite RC de prelucrare liniara a impulsurilor precum si a functionarii unor circuite de axare si de limitare cu diode; de asemeni, se urmareste insusirea deprinderii de utilizare a osciloscopului in scopul masurarii parametrilor impulsurilor. 2. Circuitul RC serie, cu iesirea pe rezistenta, reprezentat in fig. 18. 1. a, are comportari diferite in functie de raportul dintre constanta de timp a circuitului (= RC si durata impulsurilor (T1) si a intervalului (T2) dintre impulsurile aplicate la intrare, situatii reprezentate in fig. 18. 1. b. 3. In cazul circuitului de derivare, pentru impulsuri caracterizate prin intervale de timp T1 si T2 relativ mici, indeplinirea conditiei (<< T1, T2 se realizeaza mai greu. Micsorarea valorilor elementelor circuitului, R, C, are ca efect cresterea ponderii elementelor parazite (capacitatea de intrare, Cp, care apare in paralel pe rezistenta R si rezistenta interna a generatorului de semnal, Rg, ce apare in serie cu capacitatea C). 4. Circuitul RC serie, cu iesirea pe capacitate, reprezentat in fig. 18. 3. a, se comporta ca un circuit de integrare, fig. 18. 3. c, in cazul in care constanta de timp a circuitului, (= RC, este mare in comparatie cu durata impulsurilor de intrare (T1) si cu intervalul de timp dintre ele (T2), precizate in fig. 18. 3. b. Marimile caracteristice tensiunii de iesire a circuitului de integrare vor fi: In cazul in care constanta de timp (= RC este foarte mica in comparatie cu T1 si T2, impulsurile de la iesire, asemanatoare celor de la intrare, vor fi deformate prin aparitia fronturilor finite, ca in fig. 18. 3. d; se obtin relatiile: tf+ = tf- = 2, 3 (= 2, 3 CR (18. 8) Pentru circuitul de integrare, rezistenta generatorului de semnal nu afecteaza functionarea (este in serie cu rezistenta de integrare); in schimb, rezistenta de intrare a etajului urmator, Rp, modifica atat tensiunea continua de pe capacitate cat si constanta de timp a circuitului, conform relatiilor: DESFASURAREA LUCRARII 1. Se identifica circuitul din fig. 18. 8 pentru testarea circuitelor liniare RC si a circuitului de axare. Fig. 18. 8 2. Pentru E = 4 V, C = 10 nF, R = 12 k (se calculeaza marimile ce caracterizeaza formele de unda conform diagramelor de timp din fig. 18. 1 si fig. 18. 3, pentru urmatoarele valori ale intervalelor de timp T1 si T2: a) T1 = T2 = 100 (sec T = 200 (sec (= 5 KHz; b) T1 = T2 = 10 (sec T = 20 (sec (= 50 KHz; c) T1 = T2 = 1 msec T = 2 msec (= 500 KHz; 3. Folosind montajul din fig. 18. 8 se vor efectua urmatoarele masuratori: 3. 1 Circuitul RC cu R = 10 k (si C = 12 nF este comandat in serie de un generator de semnale dreptunghiulare cu rezistenta cat mai mica. Se masoara tensiunea de pe rezistenta (intre borna 3 si borna 1, de masa, cu borna 4 la masa si cu intrarea la borna 2) si tensiunea de pe capacitate (intre bornele 3 si 1, cu borna 2 la masa si cu intrarea la borna 4) pentru forme de unda]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Scd Lucrarea Nr 24</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-scd_lucrarea_nr_24.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Scopul lucrarii consta in cunoasterea functionarii portii TTL standard si in insusirea metodelor de masurare a principalilor parametrii statici si dinamici ai acesteia. Circuitul integrat SI-NU este caracterizat prin folosirea unui tranzistor multiemitor la intrare (tranzistorul T1) cu diode de limitare a reflexiilor (DA, DB) si a unui etaj de tip stalp totemic (tranzistoarele T3, T4) capabil sa asigure curent de iesire in ambele sensuri, tranzistorul T2 avand functia de separator de faza pentru comanda stalpului totemic, cand la ambele intrari, A si B, se aplica o tensiune mare (nivel logic 1), jonctiunile baza-emitor ale tranzistorului multiemitor sunt blocate, iar tranzistoarele T2 si T4 conduc la saturatie datorita curentului furnizat de sursa de alimentare Vcc prin rezistenta R1 si prin jonctiunea colector baza a tranzistorului T1. Tranzistorul T3 este blocat deoarece baza lui se afla la un potential mai mic decat potentialul emitorului sau, datorit decalajului de tensiune introdus de dioda D. Rezulta ca tensiunea de iesire este tensiunea de saturatie a tranzistorului T4, deci foarte mic, asigurand nivel logic 0 la iesire, VoL. -cand tensiunea la cel putin o intrare este scazut (nivel logic0), jonctiunea emitor-baza se deschide si, datorita saturarii tranzistorului T1, tranzistorul T2 se blocheaza datorita scaderii potentialului bazei lui fata de masa. Blocarea lui atrage dupa sine blocarea tranzistorului T4 si deschiderea tranzistorului T3 in regiunea activa normala sau in saturatie, in functie de sarcina conectata. Ca urmare, tensiunea de iesire va avea o valoare mare, adica nivel logic 1, VoH. Parametrii statici ai portii logice TTL standard pot fi pusi in evidenta prin masurarea caracteristicilor statice. V1 = -VCesat1 + VBEo2 = 0, 6 V (24. 3) V2 = -VCesat1 + VBE2 + VBEo4 = 1, 3 V (24. 4) V3 = V2 + ?VBE2 + ?VBE4 = 1, 5 V (24. 5) Marginile de zgomot statice vor fi, conform graficului din fig. 24. 2. a: MZL = V2 VoL = 1, 2 V (24. 6) MZH = VoH V3 = 2, 3 V (24. 7) Caracteristica de transfer si parametrii dedusi din aceasta sunt dependenti de sarcina, de temperatura si de tensiunea de alimentare. Curentul de intrare, pentru vi = 0, va fi: Curentul de intrare in starea logic 1 la intrare pentru vi = viH va avea mai multe componente: -curentul tranzistorului T1 ce functioneaza in regiunea activ invers: -curentul tranzistoarelor laterale formate din emitorul ce constituie intrarea in discutie (in calitate de colector) si emitatoarele tranzistorului multiemitor ce se pot gasi la tensiuni scazute corespunzatoare nivelului logic 0 (ca emitoare), baza fiind baza tranzistorului multiemitor, T1. -curentul rezidual al diodelor de limitare a reflexiilor (DA, si DB), daca exista, de obicei, neglijabil; In cazul in care la cel putin una din intrari se aplica nivel logic 0, se obtine caracteristica din fig. 24. 4. a, tranzistorul T4 fiind blocat. Schimbarea pantei caracteristicii de iesire]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Scd Lucrarea Nr 19</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-scd_lucrarea_nr_19.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: 1. Scopul lucrarii: se studiaza regimul de comutare al tranzistorului bipolar, se masoara timpii de comutare directa si inversa, precum si influenta diferitelor elemente ale schemei asupra acestora; se studiaza eficienta unor scheme de accelerare a comutarii si de evitare a intrarii in saturatie a tranzistorului. 2. Regimul de comutare al unui tranzistor bipolar consta din trecerea lui din starea de blocare in starea de conductie - in regiunea activa normala sau in saturatie - si invers. In starea de blocare, ambele jonctiuni ale tranzistoarelor sunt polarizate invers; prin tranzistor circula curentii Icbo si Icoo (in conexiunea EC), de obicei, neglijabili pentru tranzistoarele din siliciu, astfel incat tensiunile la bornele tranzistoarelor blocate sunt determinate numai de elementele circuitului exterior acestora. In starea de conductie, tranzistorul are jonctiunea baza-emitor polarizata direct iar jonctiunea colector-baza este fie blocata (in cazul functionarii in regiunea activa normala) fie polarizata direct (in cazul in care tranzistorul functioneaza la saturatie). Functionarea tranzistorului in saturatie, in circuitele de comutatie, prezinta avantaje, precum realizarea unui coeficient bun de utilizare a tensiunii de alimentare, putere di sipata mica pe tranzistor, stabilitate a tensiunii de iesire, dar are si dezavantajul unui timp de comutare inversa mai mare, datorita sarcinilor stocate suplimentar in baza. Conditia de functionare in saturatie a unui tranzistor bipolar este ca si jonctiunea colector-baza a tranzistorului sa fie polarizata direct, ceea ce, pentru circu itul din fig. 19. 1 devine: unde IBS este curentul de baza la saturatie incipienta iar IB1 este curentul direct prin baza tranzistorului. In saturatie, tranzistorul este caracterizat prin tensiunea baza-emitor, VBE, de circa 0, 7 - 0, 9 V (in functie de curentul de emitor) si prin tensiu nea de colector de saturatie, Vcesat, de circa 0, 1 - 0, 3 V (in functie de curentul de colector), neglijabila. Tensiunile pe jonctiuni fiind foarte mici sau, oricum, cunoscute, pentru un tranzistor bipolar saturat, curentii prin el sunt determinati de elementele circuitului exterior. Se adauga si relatia: IE = IB + IC. 3. Intarzierea, la comutarea dintr-o stare in alta, a tranzistorului, este determinata atat de fenomenele de acumulare a sarcinii de purtatori in baza tranzistorului, caracterizate prin constantele de timp (n (constanta de timp de viata a electronilor minoritari in exces in baza) si (s (constanta de timp de stocare) cat si de capacitatile de bariera ale jonctiunilor tranzistorului, Cbe, ce conteaza cand tranzistorul este blocat, respectiv Cbc ce conteaza si cand tranzistorul este deschis, in regiunea activa normala (in special, la rezistente de colector de valoare mare). Pentru tranzistoarele de comutatie, se iau masuri tehnologice pentru micsorarea constantelor de timp (n si (s (crearea unor centri de recombinare suplimentari prin dopare cu atomi de]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Scd Lucrarea Nr 20</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-scd_lucrarea_nr_20.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: 1. Scopul lucrarii: in lucrare sunt testate un circuit basculant monostabil si un circuit basculant astabil, ambele realizate cu tranzistoare bipolare, cu cuplaje colector baz; se urmareste masurarea formelor de unda in diferite puncte ale montajelor (amplitudine, durat, fronturi), dependenta impulsurilor generate de elementele circuitului precum si experimentarea unor circuite de declansare a circuitului basculant monostabil. 2. Circuitul basculant monostabil cu cuplaj colector-baza are schema de principiu reprezentat in fig. 20. 1, iar formele de unda rezultate in diferite puncte, in urma aplicarii unui impuls de declansare, sunt reprezentate in fig. 20. 2. In starea stabil (de asteptare), tranzistorul T2 este in conductie (deoarece are baza cuplat la un potential pozitiv, Vcc, prin rezistenta Rb), de obicei, la saturatie, iar tranzistorul T1 este blocat datorita tensiunii de iesire V0 care are o valoare mica, VCEsat si datorita tensiunii de polarizare VBB (negative). Aceast stare este conditionata de relatiile: In starea cvasistabil, obtinut in urma unui impuls de declansare care provoaca schimbarea starii tranzistoarelor, tranzistorul T2 este blocata datorita saltului de tensiune, negativ, de pe baza sa, transmis din colectorul tranzistorului T1 prin capacitatea C, iar tranzistorul T1 este in saturatie. Pentru ca tranzistorul T1 sa functioneze la saturatie, este necesara indeplinirea conditiei: In starea cvasistabil, capacitatea C se incarca de la sursa de alimentare Vcc prin rezistenta Rb si prin tranzistorul T2 saturat si determin variatia tensiunii de pe baza tranzistorului T2 dup legea: VB2 (t) = Vcc + (VBE - 2Vcc) exp (-t/ () (20. 4) cu: (= Crb (20. 5) Prin creterea tensiunii pe baza tranzistorului T2, se va atinge tensiunea de deschidere a acestuia; in urma deschiderii tranzistorului T2, tranzistorul T1 iese si el din saturatie si se inchide bucla de reactie pozitiv din circuit care duce la revenirea in starea initiala. Durata impulsului generat se calculeaza cu relatia: Impulsul de la iesirea circuitului (considerat la colectorul tranzistorului T2) va avea amplitudinea: si frontul crescator: tf+ (2, 3 (C1Rc2 (20. 8) Capacitatea C1, cuplat in paralel pe rezistenta R1, are rolul de a accelera procesele de comutare ale tranzistorului T2. Timpul de revenire al schemei, necesar pentru reincarcarea capacitatii C si pus in evidenta pe tensiunea din colectorul tranzistorului T1, va fi: trev (2, 3 nc1C (20. 9) 3. Micsorarea timpului de revenire al schemei se face prin micsorarea rezistentei de colector Rcl (micsorare limitat de indeplinirea conditiei de saturatie a tranzistorului T1), prin divizarea rezistentei Rc1 in doua rezistente inseriate (dar se micsoreaza si durata impulsului), prin introducerea unui circuit de limitare a excursiei de tensiune pe colectorul tranzistorului T1 (dar se micsoreaza amplitudinea impulsului disponibil la aceasta iesire si durata]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Scd Lucrarea Nr 21</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-scd_lucrarea_nr_21.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: 1. Scopul lucrarii consta in studierea proprietatilor circuitelor comparatoare de tensiune realizate cu tranzistoare sau cu circuite integrate si utilizate ca discriminatoare de nivel sau ca circuite de formare. 2. Circuitul basculant Schmitt (trigger Schmitt) este un circuit basculant de tipul bistabil asimetric cu cuplaj prin emitoare la care starile stabile sunt dependente de valoarea tensiunii de intrare. Schema de principiu este desenata in fig. 21. 1, iar in fig. 21. 2 sunt reprezentate formele de unda la intrare si la iesire, tensiunea de intrare avand o evolutie oarecare in timp. Caracteristica de transfer a circuitului este reprezentata in fig. 21. 3. Se observa ca, pentru o tensiune de intrare de valoare mic, tranzistorul T2 este in conductie (eventual la saturatie) ceea ce provoaca blocarea tranzistorului T1 (tensiunea de pe emitorul sau este mai mare decat tensiunea de pe baza sa). La cresterea tensiunii de intrare, dupa atingerea tensiunii de prag, VpH, tranzistorul T1 se deschide si, in urma proceselor in avalansa, declansate de reactia pozitiv din circuit, activ cand ambele tranzistoare sunt in regiunea activ normal, starea circuitului se schimba, tranzistorul T2 fiind blocat si tranzistorul T2 in conductie (eventual la saturatie). La scaderea tensiunii de intrare, dupa atingerea noii valori a pragului, VpL, stabilita de circuitul corespunzator tranzistorului T1, circuitul revine in starea initiala, cu tranzistorul T2 in conductie si cu tranzistorul T1 blocat. Se constata existenta unui histerezis in caracteristica de transfer a circuitului, determinata de prezenta reactiei pozitive, care permite functionarea circuitului ca circuit basculant. Tensiunile de prag depind de starile tranzistoarelor T1, respectiv T2, atunci cand conduc. Astfel, pentru tranzistorul T2 saturat, adica daca este indeplinita conditia aproximativa: (21. 2) iar pentru tranzistorul T2 functionand in regiunea activa normala, se obtine, pentru aceeasi marime, relatia: Pragul inferior este data de relatia: In aceste relatii, s-au folosit notatiile: (1 si (2 sunt factorii de curent in conexiunea baza comuna, iar (1 si (2, factorii de curent in conexiunea emitor comun: Marimea histerezisului va fi: (VH = VpH - VpL (21. 5) In cazul in care tranzistoarele functioneaza in regiunea activa normala, viteza de comutare dintr-o stare in alta este mai mare (nu apar timpi de stocare) iar in cazul in care tranzistoarele functioneaza in saturatie, se obtine o stabilitate mai buna la perturbatii si o utilizare mai buna a tensiunii de alimentare. Fig. 21. 4 3. Pentru caracterizarea completa a circuitului basculant Schmitt, se foloseste caracteristica de intrare reprezentat in fig. 21. 4. In cazul in care tranzistoarele functioneaza si in saturatie, se obtine o caracteristica de intrare ce poate fi aproximata prin cinci segmente de dreapta. Se remarca existenta unei zone de rezistenta negativa (cand ambele tranzistoare sunt in]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Scd Lucrarea Nr 22</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-scd_lucrarea_nr_22.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: 1. Scopul lucrarii este studiul experimental al unor circuite de generare a tensiunii liniar variabile: cu generator de curent, de tip bootstrap si de tip Miller (integrator cu amplificator operational). 2. O tensiune liniar variabil se poate obtine prin incarcarea unei capacitati cu un curent constant. Un exemplu este dat in fig. 22. 1, unde tranzistorul T2 impreuna cu dioda stabilizatoare de tensiune, DZ, si rezistentele RZ si R, formeaza un generator de curent constant, de valoare: iar tranzistorul T1 este un comutator deschis (cand permite incarcarea capacitatii C) respectiv inchis (cand asigura descarcarea capacitatii si initializarea schemei). limitarea tensiunii de iesire obtinandu-se atunci cand se satureaza tranzistorul generatorului de curent. Timpul de revenire este determinat, in special, de curentul de colector al tranzistorului T1 si se poate calcula cu relatia: Vcmax = Vcc - VZ + VEB2 (22. 4) Forma de und a tensiunii de la iesirea circuitului este desenat in fig. 22. 2. In cazul in care marimea T, calculat cu relatia (22. 2) este mai mare decat durata impulsului de comand, Tc, durata tensiunii liniar variabile generate va fi T = Tc, amplitudinea sa micsorandu-se in mod proportional. 3. Schema generatorului de tensiune liniar variabil de tip bootstrap este reprezentat in fig. 22. 3. Fig. 22. 3 Fig. 22. 4 Tranzistorul T1 impreun cu rezistentele R1 si R2 formeaza comutatorul circuitului care, atunci cand este deschis, permite incarcarea capacitatii C, iar cand se inchide, asigura descarcarea rapida a acesteia. Asa cum se vede si din fig. 22. 4, in care sunt reprezentate diagramele de impulsuri, la blocarea tranzistorului T1, capacitatea C incepe sa se incarce prin rezistenta R, cresterea tensiunii pe emitorul tranzistorului T2 fiind transmis prin capacitatea C0 (de valoare foarte mare) la catodul diodei D, blocand-o. La bornele rezistentei R se mentine o cadere de tensiune constant, de valoare Vcc - VD, care asigur curent constant de incarcare a capacitatii; aceasta se poate incarca pana la saturarea tranzistorului T2, astfel incat tensiunea maxima la iesire va fi: Vcmax = Vcc (22. 5) Se pot calcula: Fig. 22. 5 Fig. 22. 6 observ ca tensiunea de la intrarea tranzistorului T2 este formata din tensiunea de pe capacitatea C1 incarcat prin curentul constant debitat de capacitatea C0 prin rezistenta R, insumat cu tensiunea de pe capacitatea C2, incarcat atat de curentul constant ce circul prin capacitatea C1 cat si de un curent suplimentar, de compensare, obtinut prin rezistenta Rc chiar de la iesirea circuitului. In functie de curentul de compensare (deci de rezistenta Rc), se pot obtine situatiile din fig. 22. 6, corespunzand circuitului subcompensat (a), supracompensat (b) si respectiv compensat (c). 4. Schema unui generator de tensiune liniar variabil de tip Miller, cu amplificator operational, este desenat in fig. 22. 7. Fig. 22. 7 Fig. 22. 8 Fig.]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Scd Lucrarea Nr 23</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-scd_lucrarea_nr_23.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: 3. 1. Circuitele SI si SAU testate sunt reprezentate in figura 23. 2, in care capacitatile parazite sunt realizate sub forma unor capacitati de valoare precizata, iar pentru rezistenta R1 a circuitului logic SI sunt prevazute trei valori. 3. 2. Se alimenteaza crciutul SI, figura 23. 2. a, cu E1=20V. Se masoara curentul de comanda, IiL conectand miliampermetru intre o borna de intrare si masa, pentru toate cele trei valori ale rezistentei R1. Se masoara, cu un voltmetru numeric, tensiunea de la iesire pentru Vi=0. pentru R1=56K (IiL=3, 4 mA V0=0, 66 V; pentru R1 =5. 6 K (IiL=0. 3 mA V0=0, 52 V. 3. 3. Se traseaza caracteristica de transfer a circuitului, V0 (Vi), aplicand o tensiune reglabil1 intre 0 si 10 V la una dintre intrari; celelalte intrari sunt la ViH=10V (sau lasate in gol). Se foloseste rezistenta R1 =5. 6 K (. Se vor determina VoL si VoH si se verifica relatiile (32. 1) si (23. 2). Din valorile masurate de determina VoL = 0. 64V si VoH = 10. 7V, iar prin calcul rezulta: VoL = 0. 60 V ( (= 6%) si VoH = 10. 6 V ( (= 0. 9%). 3. 6. Se alimenteaza circuitul SAU cu -E2 = -20V. Se traseaza caracteristica de transfer V0 (Vi) pentru Vi avand valori intre 0 si +10 V cand cealalta intrare este la ViL= 0. Din caracteristica de transfer se vor determina VoL si VoH si se verifica relatiile (23. 5) si (23. 6). Din valorile masurate de determina VoL = -0. 64V si VoH = 9. 4V, iar prin calcul rezulta: VoL = -0. 60 V ( (= 6%) si VoH = 9. 6 V ( (= 2. 0%). 4. 1. Se experimenteaza circuitul logic RTL din figura 23. 4. Figura 23. 4 Valorile elementelor din schema sunt: Cp=100 pF; RC1= 1K (; RC2=1 K (, RA=15 K (; RB=30 K (; T tranzistor npn. Se alimenteaza cu VCC = 10 V si se ia RC = RC1; se traseaza caracteristica de transfer aplicand, pe o intrare, tensiune reglabila intre 0 si 10 V, celelalte intrari fiind la masa. Se vor pune in evidenta nivelele logice la iesire, VoL si VoH, tensiunile V1si V2 din caracteristica de transfer (fig 23. 3. b) si se vor determina marginile de zgomot, MZL si MZH, definite in figura 23. 3. b. Se compara rezultatele obsinute cu relatiile 23. 9 (23. 12 in care se folosesc parametrii tranzistorului din anexa. Se repeta masuratorile si pentru VCC=15V si pentru VCC=5V. Pentru VCC=10V: Valorile rezultate in urma masuratorilor sunt: VoL = 0. 14 V; VoH = 10 V; V1 = 1. 5 V; V2 = 3 V MZH = 1. 36 V; MZL = 7 V. Pentru VCC=15V: Valorile rezultate in urma masuratorilor sunt: VoL = 0. 2 V; VoH = 15 V; V1 = 1. 7 V; V2 = 3 V MZH = 1. 5 V; MZL = 12 V. Pentru VCC=5V: Valorile rezultate in urma masuratorilor sunt: VoL = 0. 2 V; VoH = 5 V; V1 = 1. 6 V; V2 = 2. 3 V MZH = 1. 4 V; MZL = 2. 7 V. Se observa o concordanta buna ( ( ( (0 (15 (%) intre valorile masurate si cele calculate pentru VoL si VoH, VoH urmarind valoarea lui Vcc, iar VoL pastrandu-si valoarea constanta fata de Vcc, el depinzand numai de caracteristicile tranzistorului. 5. 1.]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Scd Lucrarea Nr 25</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-scd_lucrarea_nr_25.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Scopul lucrarii consta in studierea modului in care circuitele logice integrate TTL pot fi folosite pentru realizarea unor functiuni cum ar fi intirzierea fronturilor sau generarea impulsurilor; se mai studiaza functionarea unui circuit basculant bistabil de tipul JK master slave si principiile de utilizare a unui circuit basculant monostabil integrat tipic. Generarea impulsurilor dreptunghiulare se poate realiza in mai multe moduri, in lucrare fiind experimentate trei tipuri de circuite realizate cu porti TTL standard. Duratele si perioadele impulsurilor obtinute sunt dependente de tensiunea de alimentare si de temperatura si sunt supuse dispersiei de fabricatie prin intermediul marimilor specifice portilor TTL ce intervin in relatiile de calcul (VoH, VoL si VP). Generarea impulsurilor se poate realiza prin cuplarea in bucla inchisa a unui numar impar de porti TTL inversoare, perioada impulsurilor (si frecventa lor) fiind data de timpii de propagare ai portilor. Pentru micsorarea influentei elementelor parazite specifice schemei electrice a portilor TTL integrate, se pot folosi capacitati care sa determine timpii de propagare ai portilor, asa cum se vede in fig. 25. 10. a si b. O varianta posibila de oscilator cu porti TTL asemanatoare circuitelor astbile clasice cu tranzistoare este desenata in fig. 25. 11. Formele de unda sunt reprezentate in fig. 25. 12, pentru valori mici ale rezistentei R. Perioada impulsurilor este proportionala cu constanta de timp t = CR. Tensiunea V1 la care se produce schimbarea starii circuitului si durata T a unui impuls sunt date de relatiile implicite:]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Scd Lucrarea Nr 26</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-scd_lucrarea_nr_26.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Scopul lucrarii este cunoasterea functionarii circuitelor logice elementare cu tranzistoare cu efect de camp cu poarta izolat; experimentarile se fac pe o poarta logic multifunctional realizat in tehnologie PMOS standard cu poarta de aluminiu. Tranzistorul cu efect de camp de tip MOS, al carui simbol este reprezentat in fig. 26. 1 are, ca parametri principali, tensiunea de prag, VP ?V? si factorul de curent ???mA/V? Ecuatiile caracteristicilor statice sunt: Tranzistoarele folosite sunt cu canal p indus, toate tensiunile raportate la sursa (deci si tensiunile de alimentare) sunt negative, dar in relatiile de calcul sunt luate in valoare absoluta. Cu tranzistoare cu efect de camp de tip MOS se pot realiza inversoare logice ca circuite de baza pentru circuitele logice in mai multe moduri, in functie de tipul rezistentei de sarcina; in lucrare, vor fi prezentate inversoarele din fig. 26. 2, 3 si 4. Pentru inversorul cu sarcina rezistiv, fig. 26. 2, se obtin urmatoarele relatii: VoH = VDD (26. 3) Pentru inversorul cu sarcina activa, cu tranzistorul MOS de sarcina functionand in regiunea liniara, fig. 26. 3, in care se folosesc doua surse de alimentare, VGG ??VDD VP, se obtin relatiile: VoH = VDD (26. 5) unde k = ?a/?S, ?S fiind factorul de curent al tranzistorului MOS folosit ca sarcina. Daca se presupune k >> 1, se obtine relatia aproximativa: Pentru inversorul avand ca sarcina activa un tranzistor MOS in zona de saturatie schema cea mai des utilizata in circuite integrate MOS reprezentat in fig. 26. 4, se obtin relatiile: VoH = VDD VP (26. 7) Daca se considera k foarte mare, se obtine relatia aproximativa, pentru tensiunea corespunzatoare nivelului logic 0: Marginile de zgomot statice sunt definite conform fig. 26. 5: MZ1 = VP VoL (26. 9) MZ0 = VoH V1 (26. 10) unde V1 este tensiunea de intrare pentru care caracteristica de transfer ce se obtine are panta 1. Nivelele logice ale inversorului si, deci, si marginile de zgomot statice, depind de curentul de sarcina pe care trebuie sa-l debiteze (in starea logica 1) respectiv, sa-l absoarba (in starea logica 0). Raspunsul inversorului MOS la un impuls de comanda este determinat, in primul rand, de elementele capacitive parazite: capacit atile proprii ale tranzistoarelor (amplificator si sarcina), capacitatea de intrare a circuitelor comandate precum si capacitatea parazita a interconexiunilor. La aplicarea unui impulsnegativ de ampitudine VDD VP la intrarea inversorului din fig. 26. 6, se obtine raspunsul din fig. 26. 7. b, in fig. 26. 7. a fiind desenat impulsul de comanda. Timpul necesar deschiderii tranzistorului amplificator se calculeaza cu relatiile aproximative: tcd = t1 + t2 (26. 11) (26. 13) t1-intervalul de timp in care tranzistorul MOS amplificator este in zona de saturatie; t2-intervalul de timp in care tranzistorul MOS amplificator se afla in regiunea liniara a caracteristicilor de iesire; vo (t2) =]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Scd Lucrarea Nr 27</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-scd_lucrarea_nr_27.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Scopul lucrarii consta in cunoasterea elementelor de baza in utilizarea circuitelor CMOS, efectuandu-se masuratori care sa puna in evidenta avantajele acestei familii de circuite logice, cu largi aplicatii. Schema de baza a circuitelor logice CMOS o constituie inversorul CMOS a carui schema este prezentata in fig. 27. 1. Caracteristica de transfer a circuitului este puternic dependenta de tensiunea de alimentare VDD; in fig. 27. 2 sunt reprezentate cazurile cand VDD > Vpn + Vpp (fig. 27. 2. a) si cand VDD < Vpn + Vpp (fig. 27. 2. b). Tranzistoarele MOS complementare sunt caracterizate prin tensiunile de prag Vpn si Vpp si prin factorii de curent ?n si ?p. In continuare se presupune ca sunt valabile relatiile: In cazul cand VDD > 2Vp, se defineste o tensiune de transfer a inversorului, ca in fig. 27. 2. a, conform relatiei: atunci cand circitul functioneaza in gol. Daca circuitul are o sarcina RS cuplata la masa, tensiunea corespunzatoare nivelului logic 1, VoH va deveni: In aceste relatii s-a presupus ca diferenta dintre VDD si VoH precum si VoL sunt neglijabili in comparasie cu VDD. Marginile de zgomot, definite conform fig. 27. 2. a, vor fi: MZ1 = VT VoL = 0, 5VDD (27. 8) MZ0 = VoH VT = 0, 5VDD (27. 9) Se constata ca valorile marginilor de zgomot statice, au, teoretic, valori maxim posibile; pentru circuitele CMOS fabricate se garanteaza o margine de zgomot statica de cel putin 0, 45VDD. In cazul in care tensiunea de alimentare, VDD, este mai mica decat 2Vp, se obtine caracteristica de transfer din fig. 27. 2. b, cu histerezis. Inversorul CMOS nu consuma curent de la bateria de alimentare in nici una din starile logice stationare; daca tensiunea de intrare ia si alte valori decat nivelele logice, apare un curent absorbit de la bateria de alimentare; comportarea circuitului este descrisa de caracteristica de alimentare IDD = I DD (vi), prezentata in fig. 27. 3. Se absoarbe curen de la bateria de alimentare numai atunci cand Vp < vi < VDD Vp, ceea ce presupune si VDD > 2Vp. Se determina valoarea maxima a curentului de alimentare obtinuta pentru vi = VT: Inversorul cu CMOS asigura valori aproximativ egale pentru cele doua fronturi (si deci si pentru timpii de propagare) datorita simetriei functionarii circuitului la cele doua sensuri de variatie a tensiunii de iesire. In fig. 27. 4 este prezentat raspunsul circuitului din fig. 27. 1, incarcat cu o capacitate de sarcina, CS, la un impuls de comanda cu fronturi ideale, cu amplitudinea egala cu VDD si cu durata suficient de mare. Considerand ca sunt valabile relatiile (27. 1) si (27. 2), se obtin urmatoarele expresii pentru timpii de comutare ai circuitului definiti ca in fig. 27. 4: Cu ajutorul inversoarelor CMOS se pot realiza circuite cu diferite functiuni. In fig. 27. 5 este reprezentata schema unui multivibrator cu inversoare CMOS pentru care formele de unda in principalele puncte ale schemei sunt desenate in fig. 27. 6. Presupunand ca Rp >> R (Rp are rolul de]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Amplificatoare Operationale - Varianta 1</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-amplificatoare_operationale_varianta_1.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Memoriu justificativ. 3 Capitolul I: Amplificator operational I. 1. Parametri. 6 Capitolul II: Amplificator operational proportional II. 1. Amplificator operational inversor. 8 II. 2. Amplificator operational neinversor. 10 Capitolul III: Amplificator operational integrator, derivativ, PI si PD III. 1. Amplificator operational integrator. 13 III. 2. Amplificator operational derivativ. 14 III. 3. Amplificator operational proportional integrator PI 15 III. 4. Amplificator operational proportional derivativ PD 16 Capitolul IV: Influenta reactiei negative asupra parametrilor amplificatorului IV. 1. Influenta reactiei negative asupra amplificarii. 19 IV. 2. Influenta reactiei negative asupra caracteristicii amplitudine-frecventa. 19 IV. 3. Influenta reactiei negative asupra distorsiunilor neliniare. 20 IV. 4. Influenta reactiei negative asupra impedantelor de intrare si iesire ale amplificatorului. 20 Capitolul V: Schema practica. 22 Capitolul VI: Protectia muncii. 23 Bibliografie. 25 Anexe Memoriu justificativ Stiinta este un ansamblu de cunostinte abstracte si generale fixate intr-un sistem coerent obtinut cu ajutorul unor metode adecvate si avand menirea de explica, prevedea si controla un domeniu determinant al realitatii obiective. Descoperirea si studierea legilor si teoremelor electromagnetismului in urma cu un secol si jumatate in urma au deschis o era noua a civilizatiei omenesti Mecanizarea proceselor de productie a constituit o etapa esentiala in dezvoltarea tehnica a proceselor de respective si a condus la uriase cresteri ale productivitatii muncii. Datorita mecanizarii s-a redus considerabil efortul fizic depus de om in cazul proceselor de productie, intrucat masinile motoare asigura transformarea diferitelor forme de energie din natura in alte forme de energie direct utilizabile pentru actionarea masinilor unelte care executa operatiile de prelucrare a materialelor prime si a semifabricatelor. Dupa etapa mecanizarii, omul indeplineste in principal functia de conducere a proceselor tehnologice de productie. Operatiile de conducere nu necesita decat un efort fizic redus, dar necesita un efort intelectual important. Pe de alta parte unele procese tehnice se desfasoara rapid, incat viteza de reactie a unui]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Amplificatoare Operationale - Varianta 2</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-amplificatoare_operationale_varianta_2.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Descoperirea si studierea legilor si teoremelor electromagnetismului in urma cu un secol si jumatate au deschis o era noua a civilizatiei. Mecanizarea proceselor de productie a constituit o etapa esentiala in dezvoltarea tehnica a proceselor respective si a condus la uriase cresteri ale productivitatii muncii. Datorita mecanizarii s-a redus considerabil efortul fizic depus de om in cazul proceselor de productie, intrucat masinile motoare asigura transformarea diferitelor forme de energie din natura in alte forme de energie direct utilizabile pentru actionarea masinilor, uneltelor care executa operatiile de prelucrare a materialelor prime si a semifabricatelor. Dupa etapa mecanizarii, omul indeplineste in principal functia de conducere a proceselor tehnologice de productie. Operatiile de conducere necesita un efort fizic neglijabil, in schimb necesita un efort intelectual important. Pe de alta parte unele procese tehnice se desfasoara rapid, incat viteza de reactie a unui operator uman este insuficienta pentru a transmite o comanda necesara in timp util. Se constata astfel ca la un anumit stadiu de dezvoltare a proceselor de productie devine necesar ca o parte din functiile de conducere sa fie transferate unor echipamente si aparate destinate special acestui scop, reprezentand echipamente si aparate de automatizare. Omul ramane insa cu supravegherea generala a functionarii instalatiilor automatizate si cu adoptarea deciziilor si solutiilor de perfectionare si optimizare. Prin automatizarea proceselor de productie se urmareste asigurarea tuturor conditiilor de desfasurare a acestora fara interventia operatorului uman. Aceasta etapa presupune crearea acelor mijloace tehnice capabile sa asigure evolutia proceselor intr-un sens prestabilit, asigurandu-se productia de bunuri materiale la parametri doriti. Etapa automatizarii presupune existenta proceselor de productie astfel concepute incat sa permita implementarea mijloacelor de automatizare, capabile sa intervina intr-un sens dorit asupra proceselor asigurand conditiile de evolutie a acestora in deplina concordanta cu cerintele optime. Lucrarea de fata realizata la sfarsitul perioadei de perfectionare profesionala in cadrul liceului, consider ca se incadreaza in contextul celor exprimate mai sus. Doresc sa fac dovada cunostintelor dobandite in cadrul disciplinelor de invatamant: Bazele automatizarii, Electronica analogica, Electronica digitala. Lucrarea cuprinde capitole conform tematicii primite. Pentru realizarea ei am studiat materialul biografic indicat precum si alte lucrari stiintifice cum ar fi: carti si reviste de specialitate, STAS-ul. In acest fel am corelat cunostintele teoretice si practice dobandite in timpul scolii cu cele intalnite in documentatia tehnica de specialitate parcursa in perioada de elaborare a lucrarii de diploma. Capitolul I. Notiuni generale Clasificarea amplificatoarelor Un amplificator consta in unul sau mai multe etaje]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Aparatura Electronica</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-aparatura_electronica.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Curentul electric reprezinta simbolul inceputului erei robotizate si sfarsitul celei manufacturiere. In secolul al VIII lea, utilajele care inlocuiau mana omului, reprezentau la acea vreme trecerea catre o lume moderna, catre o lume in care munca fizica se reducea considerabil. Acest fenomen se petrecea desigur doar in tarile dezvoltate, una dintre acestea la acea vreme fiind Marea Britanie. Pana in prima jumatate a secolului XX, aparatura electronica consta in proportie de aproximativ 95 % doar in masini si utilaje folosite in industrie. Abia incepand cu a doua parte a secolului XX, cand Cel de-al Doilea Razboi Mondial se incheiase definitiv, isi fac aparitia in casele oamenilor televizoarele, masinile de spalat, frigiderele si multe altele. Daca in anii 50 foarte putina lume avea un televizor in casa, in ultimii ani ai secolului XX o mare parte dintr-o casa obisnuita este dominata de aparatura electronica de orice fel. Bucataria inceputului de secol XXI este mai robotizata ca niciodata, aproape pentru orice munca depusa existand un aparat electric sau electronic (mixerele de bucatarie, cuptoarele electrice si cu microunde, masina de spalat vase, dozatoare de bauturi, taietoare electrice pentru feliat, etc.). Oamenii au in general diferite preferinte pentru lucruri, fac anumite pasiuni pentru unele obiecte care ii ajuta mai mult sau mai putin in atingerea scopurilor propuse. Acum, pe intreg mapamondul, exista milioane de tipuri de aparate electronice, fiecare fiind folositor la ceva si fiecare avand o valoare proprie cu care poate fi cumparat. Nu este de neglijat faptul ca piata descrie foarte evident personalitatea si nivelul de trai a unui popor. De exemplu, o tara cu un nivel de trai foarte scazut vor importa numai marfa ieftina si mai slaba calitativ deoarece puterea de cumparare este prea mica. Insa, apar si exceptii. Exista oameni care prefera sa dea o suma modesta pe un lucru care este constient ca e de o calitate proasta. Pe acest tip de persoana nu il intereseaza decat o cheltuiala minima, fenomen care apare in general tot in tarile cu un nivel de trai scazut. Tocmai, pentru tarile cu putere mica de cumparare exista tari producatoare pe masura care exporta marfa ieftina. Cum bine se cunoaste, in Romania, tara cu un nivel de trai foarte scazut, importul de produse electronice si electrocasnice se bazeaza pe regula ieftin si prost calitativ, doar un procent minoritar fiind detinut de importul de marfuri cu brand. Accizele, taxele vamale, TVA-ul si adaosul comercial al comerciantilor dornici de imbogatire trag in jos piata electronicelor de la noi, multa lume procurandu-si din alte tari aparatura, fiind la jumatate din pret. Mai rau de atat, in Romania, certificatul international de garantie la aparatura electronica si electrocasnica nu este recunoscuta. Chiar si cu acest risc, cine isi procura aparatura de peste hotare are in acest moment de castigat mult. Pretul mare cu care se vand acest tip de produse la noi in]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Calculatorul Electronic</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-calculatorul_electronic.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Prima masina mecanica automata de calculat a fost construita in anul 1823, de profesorul de matematica englez Charles Babbage (1792-1871). Ea a fost numita masina de diferente. Un pas important in dezvoltarea calculatoarelor automate a fost facut in anul 1890, cand americanii Herman Hollerith (1860-1929) si James Power, de la U. S. Census Bureau, inventat si aplicat in masinile de calcul cartelele perforate. Cei doi inventatori au creat dispozitivele pentru citirea automata a informatiei perforate pe cartele, in acest fel se evitau erori si se putea utiliza o memorie accesibila pe cartele, teoretic nelimitata. Calculatoarele cu cartele perforate au fost create de firmele Internationale Bussiness Machines (I. B. M. ), Remington si Burroughs. Calculatoarele erau dispozitive electromecanice, in care energia electrica era utilizata pentru a produce miscare mecanica, in particular invartirea unor rotite cu dinti si a unor axe cu came. Calculatoarele erau lente. Prelucrau doar 50-220 cartele pe minut, fiecare cartela avand posibilitatea inscrierii a 80 de caractere. Inceputul celui de-al doilea razboi mondial a facut necesara o capacitate de calcul mult mai mare, pentru scopuri militare. Erau necesare tabele de traictorii pentru proiectile. In anul 1942, John P. Eckert si John W. Mauchly, de la Universitatea din Pennsylvania, au decis sa construiasca in acest scop un calculator electronic rapid. Calculatorul a fost numit ENIAC (Electrical Numeric Integrater and Calculator). El era de 1000 de ori mai rapid decat calculatoarele precedente. Este considerat ca primul calculator electronic digital, de mare viteza, a fost folosit intre anii 1946-1955. In anii ?50 au fost facute doua descoperiri importante care au schimbat profund domeniul calculatoarelor electronice, ca sisteme sigure, de mare capacitate. Este vorba de miezurile magnetice de memorare si trnzistorul, ca element de circuit. Imediat calculatoarele au ridicat capacitatea memoriei RAM. de la 8000 la 64000 de cuvinte. Au fost create centrale de calcul cu masini puternice, deservite de programatori. Au fost utilizate pentru stocare pachetele de discuri magnetice si benzile magnetice. In Romania au fost construite calculatoare CIFA 1-4, la Institutul de Fizica Atomica-Bucuresti. Primul calculator CIFA1, a fost construit in anul 1953, de inginerul Victor Toma. El a fost completat si omologat in anul 1957, devenind primul calculator produs de o tara est-europeana (comunista). In anul 1961 la Institutul Politehnic din Timisoara a fost produs MECIPT, iar in anul 1963 a aparut primul calculator electronic de constructie proprie, numit DACCIC, la Institutul de Calcul din Cluj-Napoca. Calculatoarele LARG. a fost creat la Universitatea din California. El avea o memorie de baza de 98000 de cuvinte si efectua o inmultire in 10 microsecunde. Cel mai mic timp de acces care s-a atins a fost de 1 microsecunda, iar capacitatea de memorare a ajuns la circa 100 milioane de cuvinte. In anul 1960 au aparut]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Circuite Bistabile</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-circuite_bistabile.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Cunoasterea modului de functionare si a configuratiei unor bistabile integrate, frecvent utilizate in circuite logice secventiale. Circuitul basculant bistabil CBB, este un circuit tipic cu doua stari distincte utilizat pentru pastrarea informatiei binare. Acesta prezinta doua conexiuni de intrare prin care accepta informatia binara care urmeaza a fi memorata, doua conexiuni de iesire care permit citirea starii bistabilului si in general, intrari suplimentare de control prin care se stabileste momentul in care informatia urmeaza a fi citita de bistabil. Cele doua iesiri ale unui bistabil sunt complementare. Trecerea intr-o anumita stare poate fi determinata fie de semnalul reprezentand informatia care trebuie inscrisa in bistabil, fie de semnalul de tact ce actioneaza in functie de starea intrarilor de informatie. Semnalul de tact poate determina comutarea bistabilului in doua moduri: pe durata impulsului de tact, fiind deci precis definita in timp. Proprietatea bistabilului de memorare a informatiei se manifesta prin faptul ca starea sa nu se schimba dupa disparitia semnalului de comutate. Bistabilul RS asincron, se obtine prin interconectarea a doua porti SI-NU in asa fel ca iesirile unuia sa fie conectate la intrarea celeilalte. In functionarea normala nu se permite aplicarea simultana a semnalului logic 1 ape doua intrari R si deoarece conduce la prezenta semnalului logic 0 pe doua iesiri, situatie care este in contradictie cu data anterior privind caracterul complementar al iesirii unui bistabil. 4. Bistabilul sincron RS: 5. Bistabilul sincron D: Bistabilul D sincron are schema in figura urmatoare, are o singura intrare: Deoarece pentru C=1, Qt+1=D bistabilul se mai numeste si circuit elementar de intarziere in sensul ca semnalul aplicat la intrare se obtine la iesire cu intarzierea de un tact. 6. Bistabilul sincron JK: Bistabilul JK sincron are schema in figura urmatoare, realizata cu porti SI-NU: Prezinta neajunsul ca pentru a exista o singura basculare trebuie ca durata contactului de tact sa fie mai mare decat timpul de propagare printr-o poarta si mai mic decat timpul de propagare prin doua porti. 7. Bistabilul sincron T: Pentru a rezolva deficienta sunt folosite 2 circuite de tip RS comandate prin impuls. Primul, A, conditioneaza starea celui de-al doilea B, in timp ce al doilea, B, il conditioneaza pe primul, A. Daca bistabilul A se afla in starea 1 la sosirea impulsului pe intrarea b, bistabilul B trece in starea 1, pe cand daca bistabilul B se afla in starea 1 la sosirea impulsului pe intrarea a, bistabilul A trece in starea 0. O alta schema logica a bistabilului T sincron cu porti SI-NU (NAND) este prezentata in figura alaturata. Circuitul are proprietatea de a-si schimba starea la fiecare impuls de tact aplicat pe intrarea C, daca la intrarea T se aplica semnal logic 1. 8. Mersul lucrarii: Materiale si aparatura necesara: CI: CBD-400E, 410E (vezi anexa)]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Emisia Termoelectronica</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-emisia_termoelectronica.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Studiul emisiei termoelectronice a diferitelor tipuri de catozi; determinarea constantelor de emisie ale unui catod de tungsten (Wolfram) si incercarea unui catod activat. + - Ef -T este tubul electronic -Rf reostatul de filament -Ef sursa de filament -Vf voltmetru de filament -Af ampermetru de filament -Aa miliampermetru anodic -Va voltmetru anodic -Ea sursa anodica -Ra potentiometru anodic Modul de lucru: -se realizeaza montajulpentru ridicarea caracteristicii de emisie la un catod de tungsten -se stabileste valoarea tensiunii de saturatie a diodei pentru tensiunea maxima de incalzire a catodului -datele obtinute se vor trece in tabel -se traseaza caracteristica de incalzire: If = f (Uf) -se traseaza caracteristica de emisie: Ie = f (Uf) Ie = f (Uf) seria 1 Ua constant seria 2 Ie constant]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Masurari Electice Si Electronice</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-masurari_electice_si_electronice.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Eroarea absoluta : a) este eroarea fata de care se defineste clasa de precizie a aparatului; b) este experimentata in procente; c) reprezinta raportul intre valoarea Aparatele magnetoelectrice se folosesc in circuite de a) curent continuu si curent alternativ; b) curent alternativ de joasa si inalta frecventa; c) curent alternativ de inalta frecventa; d) curent continuu. 2p Wattmetrul electrodinamic are scara gradata : a) neuniforma; b) foarte neuniforma; c) uniforma; d) uniforma cu exceptia primei parti. 2p Electrodul de comanda are un potential electric fata de catod : a) pozitiv; b) pozitiv reglabil; c) negativ; d) negativ reglabil. 2p Numarul (101110) din binar reprezinta in zecimal : a) 50; b) 52; c) 54; d) 56. 2p Subiectul Nr. 2 28puncte Scrieti afirmatiile de adevar corespunzatoare spatiilor libere : Functionarea aparatelor electrice, analogice cu ac indicator se bazeaza pe. a. unei parti din energia. b. sau. c. a marimii de masurat in energie. d. capabila sa produca deplasarea. e. in fata scarii gradate. 10p=5x2p in coloana A sunt enumerate marimi electrice, iar in coloana B unitati de masura. Scrieti asocierea dintre aceste doua coloane: Pentu enunturile de mai jos notati cu litera A, enuntul considerat adevarat si cu F enuntul fals : Acul indicator al aparatelor analogice se construieste si din sticla 2p Amplificatoarele osciloscopului sunt amplasate in fata atenuatoarelor 2p Puntea Sauty se foloseste pentru masurarea condensatoarelor de buna calitate, cu pierderi mici 2p Masurari electice si electronice - Bacalaureat Subiectul Nr. 3 27puncte Pentru ohmetrul din figura se cere : Denumirea elementelor notate cu : E; Rh; Rx; mA; K 5p=5x1p Tipul ohmetrului ? 2p Cum este scara gradata a ohmetrului ? 2p Ce rezistenta se masoara cu acest ohmetru ? 2p Verificarile si reglarile ohmetrului. 10p Sa se faca transformarile : 20 hm= a km= b nm= c cm 6p=3x2p Subiectul Nr. 4 25puncte reprezentati schema electrica inainte si dupa conectarea ampermetrului 5p calculati intensitatea curentului inainte si dupa legarea ampermetrului 6p=3p+3p calculati eroarea absoluta data de ampermetru 4p calculate eroarea relative valoric si procentuala data de ampermetru. 10p=5p+5p Masurari electice si electronice - Bacalaureat 7. 1 Testul Nr. 2- pregatire bacalaureat Toate subiectele sunt obligatorii Se acorda 10 puncte din oficiu Timpul efectiv de lucru este de 3 ore Subiectul Nr. 1 10 puncte Selectati raspunsul corect si scrieti litera acestuia : Erorile subiective sunt datorate : a) operatorului (neatentiei, neindemanarii, etc); b) influientei factorilor externi de mediu; c) imperfectiunii aparatului; d) pozitiei de functionare necorespunzatoare 2p Celula elementara de numarare in sistemul binar este : a) un sistem de numeratie binar; b) un convertor analog digital; c) un decodor; d) un circuit basculant bistabil 2p Placile de]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Mecanisme Pentru Roboti Care Se Deplaseaza</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-mecanisme_pentru_roboti_care_se_deplaseaza.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: mijloace tehnice a acestor functii. Printre obiectivele cercetarii bionice actuale, o atentie speciala este acordata: - studiului sistemului nervos conceput ca retea hipercomplexa de senzori; - studiului organelor senzoriale; - studiului organelor efectoare. Studiul organelor efectoare si al proceselor de transmitere a comenzilor catre organele efectoare reprezinta o parte esentiala a bionicii. Solutiile existente in natura vie in acest domeniu sunt extrem de diverse si ingenioase. Studiul si imitarea lor este de o inestimabila utilitate in circumstante nenumarate. Ca exemple tipice pot fi citate cele ale constructiei manipulatoarelor automate si ale pedipulatoarelor automate. Asa cum se stie, mecanismul este un sistem mecanic in care corpurile materiale rezistente componente, intre care exista legaturi mobile, isi pot schimba sub actiunea fortelor pozitia relativa, in mod determinat, pentru indeplinirea unor functii necesare (transmiterea puterii mecanice, a fortelor, a miscarilor, ghidarea corpurilor etc.). Biomecanismul este acel sistem mecanic intalnit in organismele vii, care are caracteristici comune cu mecanismul definit anterior. Mecanismul bionic reprezinta acele mecanisme care modeleaza structura si functiile biomecanismelor. Acesta se mai poate defini ca fiind mecanism echivalent biomecanismului a9s. Biomecanismul este mecanismul existent in biosisteme. Mecanismul bionic este mecanismul care modeleaza structura si functiile biomecanismului. Devin astfel, interesante, biomecanismele care realizeaza performante deosebite. Intre acestea, biomecanismele care realizeaza locomotia prin salt se caracterizeaza prin: - deplasarea rapida; - consum energetic minim; - echilibrare dinamica; - prezinta componente care realizeaza recul elastic. Locomotia prin salt a inceput sa fie studiata relativ recent. Parintele deplasarii prin salt, M. H. Raibert, a infiintat MIT Leg Laboratory in 1980 pe care l-a condus pana in 1995. In 1980 Marc Raibert era cadru diadctic asociat si preda metode computationale la Institutul de Robotica, dupa care a devenit profesor de inginerie electrica si de stiinte informationale devenind membru al Artificial Intelligence Laboratory. In 1995 Raibert a devenit presedintele companiei private Boston Dynamics Inc. In perioada 1980-2000 MIT Leg Laboratory a proiectat si a realizat aproximativ 20 de roboti, majoritatea obtinuti pe baza studiilor realizate pe subiecti din regnul animal (dinozaur, flamingo, curcan, capra, cal, cangur etc. ) [10]. 2. Analiza miscarii de salt a broastei-de-lac Pentru identificarea functiilor cinematice ale biomecanismului aferent locomotiei prin salt la broasca a fost necesara filmarea in conditii de laborator a subiectului viu. S-au folosit doua exemplare de broasca-de-lac mare (Rana ridibunda ridibunda) dintre care unul de masa 10, 7 g, iar celalalt de masa 25]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Microsistem Cu Microprocesor Z80</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-microsistem_cu_microprocesor_z80.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: o interfata serie cu un echipament de tip DAF, realizata cu unul din circuitele specializate 8251 sau Z80-SIO o interfata serie prin intermediul careia se incarca programul monitor realizata cu unul din circuitele specializate 8251 sau Z80-SIO o interfata paralela cu o imprimanta realizata cu unul din circuitele specializate 8255 sau Z80-PIO un modul pentru facilitatea de pas cu pas un modul pentru facilitatea de breakpoint Proiectarea se va face la nivel de detaliu La pornirea sistemului trebuie sa fie activata memoria fixa. In aceasta trebuie sa existe un program monitor, il va transfera in memoria SRAM suprapusa peste EPROM, va dezactiva memoria EPROM si va lansa in executie programul monitor. Se va defini o zona de memorie protejata cu parola la citire / vizualizare / inserare. Se va concepe si programul monitor cu minim urmatoarele comenzi: vizualizarea continutului memoriei listarea continutului memoriei inserare de octeti in memorie lansarea in executie a unui program inserat Programele vor fi scrise in limbaj de asamblare si vor fi insotite de comentarii. 1. Partea hardware: Circuitele folosite in cadrul acestui proiect sunt: bistabil D, JK; decodificator 74LS138; interfata serie 8251, interfata paralela 8255; convertor TTL<=>EIA; circuit contor/temporizator 8253; memorie DRAM 4164, SRAM 6264, EPROM 2764; multiplexor 74LS157; microprocesor Z80; porti logice; Se va prezenta modalitatea de realizare a circuitelor generatoare de RESET si CLOCK, impreuna cu schemele aferente. Pentru aceasta schema am folosit un cristal de cuart, pentru care am obtinut frecventa de functionare 4. 9125MHz. Am obtinut aceasta frecventa deoarece interfata seriala pe care o vom folosi are o rata de transfer de 9600 bps, iar pentru a obtine aceasta rata trebuie sa calculam cea mai apropiata valoare intreaga care impartita la frecventa de tact a procesorului sa ne dea valoarea frecventei cuartului. Figura 1. 2 prezinta circuistica de generare a semnalui de RESET. Si la aceasta schema putem observa cateva probleme care au fost solutionate. De exemplu, durata semnalului de RESET este foarte mare in comparatie cu frecventa procesorului, intrucat comutatorul este actionat de om, adica este un eveniment extern. In tot acest timp trebui sa avem grija ca microprocesorul sa poata face improspatarea memoriei DRAM existente in sistem. De aceea am folosit poarta SI-NU realizata ca Trigger-Schmidt, care limiteaza durata semnalului catre procesor oricat de mult ar fi apasat comutatorul. A 2-a problema majora este legata de asincronismul semnalului /RESET fata de ciclurile masina ale procesorului. Astfel este posibil ca microprocesorul sa inceapa un ciclu de scriere la memorie in timpul caruia sa se activeze semnalul /RESET. Solutia consta in intoducerea unui semnal /M1, ceea ce inseamna ca initializarea va fi activata doar atunci cand microprocesorul doreste sa inceapa ciclul de aducere de]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Robot Arc Mate100i</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-robot_arc_mate100i.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Din cele mai vechi timpuri omul a incercat sa construiasca mecanisme care sa imite cat mai fidel comportamentul unor vietuitoare sau mecanisme care sa ii usureze munca in anumite domenii. Dupa ce dea lungul timpului diferiti cercetatori au incercat sa construiasca asemenea mecanisme cuvantul robot a fost utilizat pentru prima data in piesa Robotii universali ai lui Rossum scrisa de Karel Capek (Cehia) in 1920. Termenul a inceput sa fie utilizat dupa 1923, cand lucrarea a fost tradusa in limba engleza. Termenul Robotica a fost utilizat pentru prima data de Isaac Asimov (1920 - 1992). In mod obisnuit un robot este o masina care, intr-o anumita masura, imita omul fie ca infatisare, fie ca posibilitati de actiune. Robotul este un mecanism automat care se poate substitui omului pentru a efectua unle operatii, fiind capabil sa-si modifice singur ciclul de executie (prin detectie fotoelectrica, servomotoare, etc). Asimov a enuntat, in 1940, cele trei legi fundamentale care trebuie sa fie respectate de un robot pentru indeplinirea (realizarea, finalizarea) sarcinilor in deplina siguranta. (L1) Un robot nu are voie sa lezeze o fiinta umana sau sa permita, prin neinterventie, sa fie agresata o fiinta umana. (L2) Un robot trebuie sa execute ordinele (comenzile) primite de la o fiinta umana, cu exceptia acelora care contravin primei legi. (L3) Un robot trebuie sa-si protejeze propria existenta, in masura in care aceasta protejare nu contravine primelor doua legi. Se poate considera ca primul proiect al unui robot industrial este cel elaborat de George Devol care a primit un patent pentru un manipulator de uz general cu memorie retroactiva si conducere punct cu punct. Patentul a fost vandut firmei CONDEC din care s-a dezvoltat celebra UNIMATION (binecunoscutii roboti UNIMATE). Dupa acest prim proiect putem spune ca robotii industriali au cunoscut o puternica expansiune aproape in toate domeniile tehnologice. Robotii am putea spune ca sunt inpartiti in trei mari generatii in functie de complexitatea mecanismului si a sistemului de conducere. Prima generatie (G1) include robotii programabili. Acestia sunt capabili sa repete o multime specificata de operatii (program robot), in conditii externe determinate apriori si in lipsa perturbatiilor. A doua generatie (G2) de roboti industriali cuprinde robotii adaptivi, care sunt capabili sa lucreze in conditii de mediu variabile sau in medii partial cunoscute. Acestia isi adapteaza actiunile la perturbatiile provocate de modificarile din spatiul de lucru A treia generatie (G3) de roboti este reprezentata de robotii inteligenti care poseda elemente de inteligenta artificiala. Robotul din G3 se poate defini ca un dispozitiv capabil sa execute sarcini care necesita si anumite calitati umane: adaptarea, invatarea, capacitatea de reprezentare a mediului inconjurator, predictie si planificare. Dupa structura lor, se deosebesc urmatoarele clase de roboti: roboti in]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Sisteme Cu Microprocesoare</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-sisteme_cu_microprocesoare.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Sa se implementeze un algoritm care sa realizeze numararea cu afisare cu tactul de 6Hz pana la o valoare de referinta citita de pe portul de intrare cu microprocesoare. Cand contorul ajunge la valoarea de referinta, aceasta va fi afisata timp de 3 secunde, apoi va incepe numararea inversa pana la 0. Decrementarea se va face cu o frecventa de 8Hz. Domeniul microprocesoarelor este unul dintre cele mai dinamice din industria calculatoarelor. Aparut in anii 1970, microprocesorul este un circuit capabil sa efectueze functiile aritmetice si de control ale unui calculator. Pe atunci un microprocesor era un circuit integrat pe scara larga (LSI), continand cateva mii de tranzistoare, pe o suprafata de aproximativ 5 mm2. Dezvoltarea microprocesoarelor a urmat dezvoltarii circuitelor integrate, complexitatea acestora dublandu-se practic in fiecare an. In prezent s-a ajuns la cateva milioane de tranzistoare (6-9 milioane: Pentium II, AMD K6-2, Cyrix MII) pe o suprafata de cativa milimetri patrati. Z80 este un procesor care nu se mai foloseste in nici un calculator actual, iar viteza lui este foarte mica (5 MHz), comparativa cu frecventele procesoarelor actuale (sute de Mhz). Totusi, mai este folosit si acum, in concurenta cu microcontrolerele, la realizarea unor sisteme de automatizare simple si fara necesitati prea mari de viteza. Z80 este un microprocesor pe 8 biti, cu 16 linii de adresa. In interiorul calculatoarelor toate informatiile sunt reprezentate sub forma unor numere binare, sau sub forma unor grupe de biti. Sistemul cel mai potrivit s-a dovedit a fi cel hexazecimal, cel care admite saisprezece cifre distincte (0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, A, B, C, D, E, F). Cap. I. Microprocesorul Z80 1. 1. Notiuni introductive. Arhitectura interna Microprocesoarele nu sunt altceva decat unitati centrale de calculator (CPU Central Processing Unit) incorporate intr-o singura capsula de circuit integrat. Ele vor citi instructiunile unui program dintr-un bloc de memorie, le vor decodifica si vor executa comenzile formulate in insusi codul instructiunii. Pentru a citi din blocul de memorie externa codul instructiunii ce urmeaza a fi executata, microprocesorul va trebui sa genereze o adresa pe care o va pune la dispozitie memoriei, pana cand din celula selectata pe baza acestei adrese va apare data ceruta. Pentru a putea mentine starea liniilor de adresa pe durata intregii operatii de citire, microprocesorul va trebui sa posede un element memorator intermediar, pe care-l vom numi registrul tampon de adrese AB (Adress Buffer). Informatia codificata, citita din memorie o vom depune temporar, de asemenea intr-un registru intermediar numit registrul tampon de date DB (Data Buffer). Liniile electrice pe care se va genera cuvantul binar de adresa le vom numi magistrala de adrese ABUS (Adess Bus), iar pe cele dedicate datelor citite/ scrise in memorie, magistrala de date DBUS (Data Bus). Z80 este un microprocesor pe 8 biti, cu 16 linii de]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Sisteme De Conducere A Robotilor</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-sisteme_de_conducere_a_robotilor.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: PDB punct deasupra benzii; punct in care robotul 1 isi va micsora viteza inainte de a prelua piesa de pe banda PG1 pozitie initia a robotului 1 PG2 pozitie initia a robotului 2 Pln pozitie lemn neprelucrat pe paleta superioara Pmn pozitie metal neprelucrat pe paleta superioara PDLN pozitie deasupra Pln, in care robotul isi incetineste viteza PDMN pozitie deasupra Pmn, in care robotul isi incetineste viteza Plp pozitie lemn prelucrat pe paleta a doua Pmp pozitie metal prelucrat pe paleta a doua PDLP pozitie deasupra Plp, in care robotul isi incetineste viteza inainte de a depune piesa PDMP pozitie deasupra Pmp, in care robotul isi incetineste viteza inainte de a depune piesa Pfl pozitie corespunzatoare dispozitivului de filetare pentru piesa de lemn Pfm pozitie corespunzatoare dispozitivului de filetare pentru piesa de metal PIFL pozitie anterioara Pfl, necesara ca punct de micsorare a vitezei robotului inainte de a introduce piesa in dispozitivul de filetare PIFM pozitie anterioara Pfm, necesara ca punct de micsorare a vitezei robotului inainte de a introduce piesa in dispozitivul de filetare Descrierea aplicatiei de automatizare Pe o banda transportoare actionata de un motor prin intermediul unui controller vin insiruite piese de patru tipuri : piese din lemn prelucrat, lemn neprelucrat, metal prelucrat, respectiv metal neprelucrat. De- a lungul benzii sunt 3 senzori: senzorul de prezenta S1 ii indica un sistem video pentru identificarea tipului piesei, prezenta unei piese, cu ajutorul semnalelor I1 si I2 se face cunoscut tipul piesei, conform tabelului urmator, senzorii P1 si P2 sunt senzori de prezenta folositi in mecanismul de automatizare a aplicatiei : Sistemul este alcatuit de asemenea din 2 roboti (Robot 1 si Robot 2) care sunt initial in pozitiile PG1 si PG2. Daca robotul 1 primeste semnal pe intrarea 1 atunci el testeaza daca exista piesa neprelucrata intre senzorii P1 si P2. Daca exista piesa neprelucrata, robotul 1 opreste banda transportoare in momentul in care prima piesa neprelucrata ajunge in P2; apoi preia piesa si o depune pe paleta in pozitia Pln sau Pmn, in funtie de tipul piesei (lemn sau metal), dupa care se retrage in pozitia initiala, reporneste banda si se reia ciclul de asteptare a unui semnal pe intrarea 1. Robotul 2 preia piesa ce tocmai a fost depusa pe paleta dupa ce robotul ajunge in pozitia initiala PG1 si o duce in pozitia corespunzatoare (Pfl lemn, Pfm - metal). Daca piesa este din metal o infileteaza pe distanta dist, asteapta 2 secunde, o desurubeaza, o scoate din lacas, si o depune pe paleta a doua in pozitia Pmp; daca piesa este din lemn operatia este identica, numai timpul de mentinere a piesei in lacas este de 1 secunda, dupa care depune piesa in pozitia Plp. Observatii: - inainte ca robotul 1 sa preia piesa din P2 trebuie sa verifice daca lacasul de pe paleta este liber, abia cand se elibereaza el poate efectua]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Stabilizatoare De Tensiune - Varianta 1</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-stabilizatoare_de_tensiune_varianta_1.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Stabilizatoarele de tensiune sunt instalatii care asigura tensiuni de alimentare constante pentru echipamentele de telecomunicatii. Aceste instalatii se monteaza in general intre sursa de alimentare si sarcina, micsorand variatiile tensiunii de alimentare pana la limitele impuse de performantele aparatului comutator, cand variaza : Pentru alimentarea echipamentelor de telecomunicatii sunt necesare stabilizatoare de tensiune continua, cat si stabilizatoare de tensiune alternativa. Ele pot fi actionate mecanic, electric sau electromagnetic. Analizand principiul de functionare al stabilizatoarelor, dupa metoda folosita pentru mentinerea constanta a tensiunii se deosebesc urmatoarele tipuri: stabilizatoare parametrice; stabilizatoare comandate de un detector de eroare Tipuri de stabilizatoare : Regulatoarele electromecanice : Regulatoarele electromecanice se utilizeaza, de obicei, pentru reglarea tensiunii alternative sau continue in dispozitivele de mare putere. Stabilizatoare parametrice Stabilizatoarele parametrice folosesc in montaj o impedanta neliniara, care poate compensa variatia sarcinii sau pe cele ale tensiunii de alimentare. Acest tip de stabilizator foloseste ca impedanta neliniara, fie un element neliniar cu o comportare rezistiva (un tub cu gaz stabilizator de tensiune sau o dioda Zener), fie un element neliniar cu o comportare reactiva. Impedanta neliniara se pate monta in serie sau in derivatie. Deoarece impedanta neliniara consuma energie daca are caracter rezistiv sau acumuleaza energie, daca are un caracter reactiv, randamentul acestor stabilizatoare, in special pentru cele de curent continuu, este scazut. Stabilizatoare parametrice cu rezistenta neliniara. La stabilizatoarele parametrice de tensiune alternativa sau continua de puteri mici se folosesc elemente de circuit neliniare cu comportare rezistiva, cum ar fi : stabilitroane, tuburi stabilovolt, diode Zener. Stabilizatoare parametrice cu reactanta neliniara. In schema de stabilizatoare parametrice pot fi folosite reactante neliniare, ca: bobine cu miez de fier saturat sau condensatoare cu dielectric din sare Seignette. Bobinele cu miez de fier saturat au inductanta neliniara datorita variatiei permeabilitatii magnetice a miezului in functie de intensitatea campului magnetic. La sarea Seignette (titaniul de bariu), constanta dielectrica variaza in functie de intensitatea campului electric, iar condensatoarele care utilizeaza acest dielectric au o capacitate electrica neliniara. Stabilizatoare comandate de un detector de eroare Prin stabilizatoare comadate de un detector de eroare se inteleg, de obicei, stabilizatoare de tensiuni continue (sau curenti continui) cu tuburi electronice sau tranzistoare, la care elementul de reglaj este comandat de un semnal de eroare. Stabilizatoarele electronice pot mentine tensiunea constanta cu o precizie foarte mare. Dupa modul in care se obtine semnalul de eroare care comanda]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Stabilizatoare De Tensiune - Varianta 2</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-stabilizatoare_de_tensiune_varianta_2.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Pentru a functiona corect aparatura electronica necesita tensiuni de alimentare continue. Tensiunea obtinuta la iesirea unui redresor cu filtru are, pe langa componenta continua, dependenta de tensiunea retelei si o componenta variabila, ondulatiile. In plus, aceasta tensiune scade mult cu cresterea curentului de sarcina (caracteristica externa cazatoare) si este dependenta de temperatura. Stabilizatorul de tensiune ideal este un circuit care asigura la iesire o tensiune independenta de tensiunea de intrare, de curentul de sarcina si de temperatura. Stabilizatorul de tensiune real nu poate realiza o independenta totala a tensiunii de iesire de factorii mentionati mai sus, dar le micsoreaza dependenta. Stabilizatorul de tensiune, impreuna cu redresorul si filtrul formeaza o sursa de tensiune stabilizata. 1) Dupa principiul de functionare stabilizatoarele de tensiune se impart in: stabilizatoare parametrice; stabilizatoare cu reactie; stabilizatoare in regim de comutatie. Stabilizatorul parametric are structura cea mai simpla si isi bazeaza functionarea pe neliniaritatea caracteristicii curent tensiune a dispozitivului electronic folosit (in general o dioda stabilizatoare). Stabilizatoare cu reactie realizeaza functia de stabilizare printr-o reactie negativa, dispozitivele electronice folosite lucrand liniar. Acest tip de stabilizatoare sunt intr-o prima aproximatie, circuite liniare. Stabilizatoare in regim de comutatie sunt tot stabilizatoare cu reactie, in care insa elementul regulator al tensiunii de iesire nu lucreaza liniar, ci in regim de comutatie. Creste astfel mult randamentul stabilizatorului. 2) Dupa cum elementul regulator al tensiunii stabilizate se afla in serie sau in derivatie cu iesirea stabilizatorului, stabilizatoarele de tensiune pot fi: stabilizatoare serie; stabilizatoare derivatie. Cei trei parametri sunt parametri de baza ai stabilizatorului si exprima performantele acestuia. Daca se considera temperatura T si rezistenta de sarcina RL constante, se poate defini un parametru auxiliar numit coeficient de stabilizare in sarcina Observatie. Parametrii de mai sus sunt definiti in conditii de semnal mic, pentru semnale mari trebuind sa se faca o analiza de semnal mare. 8. 2. Stabilizator parametric cu dioda stabilizatoare 8. 2. 1. Principiul de functionare In fig. 8. 2. Se arata schema unui stabilizator parametric cu dioda stabilizatoare, in R fiind inglobata si rezistenta de iesire (interna) a redresorului. Fig. 8. 2 Stabilizator parametric cu dioda stabilizatoare Functionarea schemei se bazeaza pe caracteristica neliniara a diodei stabilizatoare (fig. 8. 3. ) care admite variatii relativ mari de curent la variatii mici ale tensiunii pe dioda. a) b) Fig. 8. 3. Caracteristica curent tensiune a unei diode stabilizatoare: a) reala; b) liniarizata. Tensiunea la iesirea stabilizatorului este chiar tensiunea pe dioda, adica]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
        <item>
            <title>Tranzistoare Tec</title>
            <link>http://www.tocilar.ro/referat_scolar~categorie-automatica~nume-tranzistoare_tec.html</link>
            <description><![CDATA[Extras din referat: Tranzistoarele in care conductia electrica este asigurata de un singur tip de purtatori de sarcina, se intalnesc in literatura sub denumirea de unipolare sau efect de camp. Pentru aceste tranzistoare se foloseste prescurtarea de tranzistoare TEC sau FET (Field Effect Trasistor). Functionarea lor se bazeaza pe variatia conductibilitatii unui,, canal realizat dintr-un material semiconductor, ale carui dimensiuni tranversale sau concentratii de purtatori de sarcina mobili pot fi controlate cu ajutorul campului electric tranzversal, creat intre un electrod de comanda numit grila sau poarta, situat in vecinatatea canalului si masa semiconductorului unde este format sau indus acest canal. In functie de modul de realizare a grilei, distingem tranzistoarele cu grila jonctiune TEC-J si cu grila izolata TEC-MOS. Tranzistoarele TEC prezinta avantajul, in raport cu cele bipolare, ca au o rezistenta de intrare mare, au o tehnologie de fabricatie mai simpla si ocupa o arie de siliciu mai mica in sructurile integrate. Pe de alta parte tranzistorul cu efect de camp nu amplifica in curent. In circuitele electronice cu componente discrete se intalneste si in combinatie cu tranzistorul bipolar. Pana in 1970 tranzistoarele cu efect de camp realizate abia puteau comanda curenti de cateva zeci de mA la tensiuni de zeci de volti. Apoi, o noua tehnologie a permis realizarea tranzistoarelor MOS de putere (cu nume depinzand de companie, VMOS, TMOS, HEXFET, etc. ). Aceste noi tranzistoare sunt capabile sa opereze la tensiuni de ordinul a 1000 V si sa vehiculeze curenti medii de pana la 70 A; pentru durate scurte, ele pot conduce curenti de pana la 280 A (curenti de varf). In plus, tranzistoarele MOS de putere sunt mult mai stabile termic decat corespondentele lor bipolare, la acelasi tip de capsula putand opera la puteri disipate mai mari. Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele cu efect de camp controleaza curentul intre canalul dintre terminalul de drena si cel de sursa prin campul electric determinat de tensiunea aplicata pe poarta. Ori, cel putin in principiu, pentru a mentine un camp electric nu avem nevoie de un curent care sa circule. Astfel, avantajul esential al tranzistoarelor cu efect de camp este acela ca intensitatea curentului in terminalul portii este practic nula. Din acest motiv, la tranzistoarele cu efect de camp, curentul intre terminalul de drena si cel de sursa este controlat de tensiunea dintre poarta si sursa. In cazul tranzistoarelor JFET, intre poarta si canalul conductor exista o jonctiune semiconductoare invers polarizata; astfel, curentul de poarta are valori de ordinul zecilor de nanoamperi. Curentii de poarta, de o mie de ori mai mici, se obtin in cazul celuilalt tip de tranzistoare cu efect de camp. La tranzistoarele MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) poarta este izolata prin intermediul unui strat de oxid de siliciu si curentul de poarta este de ordinul zecilor de picoamperi. 2. 2.]]></description>
            <author>Tocilar.ro - IntelliSynaptics Software Development S.R.L.</author>
        </item>
    </channel>
</rss>

